[發明專利]微電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 201410073575.6
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104022073B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 亨利·席卜耶特
• 申請（專利權）人: 法國原子能源和替代能源委員會
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/822
• 代理公司: 11400 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 方挺;葛強<國際申請>=<國際公布>=<

本發明涉及制造微電子裝置的方法，微電子裝置包括基板和堆，堆包括至少一個導電層和至少一個介電層，該方法包括：從所述基板的一個表面形成至少一個相對于所述基板表面水平面為凹陷的圖案，所述圖案的壁包括底部和側面部分，側面部分位于所述底部和所述基板的表面之間，所述側面部分包括至少一個傾斜直至基板的表面的傾斜壁；形成所述堆，所述堆的多個層有助于至少部分地填充所述圖案；將所述堆打薄到至少所述基板表面的水平面，以完全暴露所述至少一個在一個平面中齊平的導電層的邊緣；和在所述基板上形成至少一個電連接件，與所述至少一個導電層的邊緣接觸。

技術領域

本發明一般涉及電觸點和導電層的形成，電觸點位于導電層和絕緣層交替的層狀結構的每個導電層上，尤其涉及多層電容器或密集路由結構的生產。

背景技術

微電子工業通常使用金屬/絕緣體/金屬（MIM）型式的層狀結構，其中，交替絕緣和導電的多個層堆疊，由于這些層的重疊提供的表面積的節省，以合理成本價形成尤其是大容量的電容器。

這種形式的結構已經有描述，特別是這些基于薄陶瓷層應用的結構，這些薄陶瓷層被導電片隔開以生產大容量電容器。至于側面的接觸點，為了連接所有的導電電極以將單獨的電容器并聯設置，有必要求助于來自于微電子學外的方法。采用的技術通常是復雜的并且因此也是昂貴的，例如遞交至美國專利商標局（USPTO）的專利申請US2012/0257324A1中描述的內容。

US2012/014548A1和WO2011/090440A1公開了利用基板上的凹處通過將導電和非導電部分交替設置且這些導電部分以梳狀交織形成的堆疊層來制造電容器的方法。由此產生的器件包括連接引腳，連接引腳僅用在導電部分的一部分，與基板的表面齊平地配合。有可能基于交替的若干導電層（兩個連續的導電層從不電連接）生產電容器成為可能，以隨著減小的尺寸提供高電容值。然而，通過加在表面上的引腳實現連接包含制造導電層的復雜的制備以產生掩模和/或蝕刻。

發明內容

因此，本發明的一個目的是提出解決這個問題的裝置和方法，能夠不增加該方法的步驟的數目，并且有利地使用微電子產業使用的傳統方法。

通過下列描述和相應附圖將展現出本發明的其他目的、特征及優勢。當然還可能包括其它優勢。

本發明的第一方面涉及生產微電子器件的方法，微電子器件包括基板和堆，堆包括至少一個導電層和至少一個介電層。

有利地，該方法包括以下步驟：

從所述基板的一個表面形成至少一個相對于所述基板表面水平面為凹陷的圖案，所述圖案的壁包括底部和側面部分，所述側面部分位于所述底部和所述基板的表面之間，所述側面部分包括至少一個直至所述基板的表面的傾斜壁；

形成所述堆，所述堆的多個層有助于至少部分地填充所述圖案；

將所述堆打薄至少到所述基板表面的水平面，以完全暴露在一個平面中齊平的所述至少一個導電層的邊緣；

在所述基板上形成至少一個電連接件，與所述至少一個導電層的邊緣接觸，并完全離開在所述平面中齊平的所述至少一個導電層的邊緣。

根據本發明，微電子學意指所有微電子學和納米電子學技術。

利用本發明，與絕緣層交替的導電層可通過處于同一水平面的基板的表面自外部接觸到。這顯然便于進行后續的連接，觸點在基板表面的平面中生產。打薄有利地由例如通過平刨調平的單個步驟完成。類似地，連續的淀積層有利地為固體板類型以使制造大大簡化。