[發明專利]QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板在審

申請號：	201410073206.7	申請日：	2014-02-28
公開（公告）號：	CN103824877A	公開（公告）日：	2014-05-28
發明（設計）人：	翟保才	申請（專利權）人：	上海和輝光電有限公司
主分類號：	H01L27/32	分類號：	H01L27/32;H01L51/54;H01L21/77;H01L51/56
代理公司：	上海申新律師事務所 31272	代理人：	吳俊
地址：	201506 上海市金山***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	qd led 像素顯示器件制作方法面板
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板。

背景技術

近年來，量子點（Quantum?Dot，QD）LED技術得到廣泛發展，量子點是一種尺寸在2～20nm半導體納米晶體材料，是由CdSe（S/Te）、ZnSe（S）等元素組成。在傳統的半導體中，電子和空穴可用波函數來描述，在量子點限制系統中，波函數被限制在一個很小的區域中，導致載流子能量升高。當限制程度提高時，這個能量會增加，對量子點來說，限制程度由量子點的粒徑決定，當量子點尺寸減小時，電子與空穴波函數增加，也就是說電子與空穴輻射復合所產生的能量將隨著量子點尺寸的減小而增加。

現在LTPS技術成為制備高畫質顯示器的前提條件，很多機構都在開發OLED顯示屏，通常使用的OLED發光層材料為有機發光材料，且OLED器件層次結構多為有機材料，其發光波長覆蓋波長范圍較窄，色域（NTSC）較小，穩定性和色純度均不高，此外，封裝成本較高、工序較復雜。

中國專利（公開號：CN102956676A）公開了一種TFT陣列基板、其制備方法及量子點發光二極管顯示器件，采用半色調掩膜板以及雙氧水刻蝕液，可以通過一次構圖工藝分別在氧化物半導體層形成氧化物半導體層的圖形，以及在源漏極層形成源漏極的圖形，這樣，就可以在TFT結構中將源漏極直接設置在氧化物半導體層之上，不用在兩者之間設置刻蝕阻擋層；并將該TFT結構的頂柵型結構應用于QD-LED顯示器件的結構中，能實現結構簡單的TFT陣列基板以及QD-LED器件，節省其制作工藝流程，降低了生產成本。

中國專利（公開號：CN102447070A）公開了一種光子晶體結構量子點有機發光二極管發光裝置，由氧化銦錫(ITO)透明陽極(1)，聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入層(2)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-聯苯-4，4′-二胺(TPD)空穴傳輸層(3)，量子點(QDs)發光層(4)，8-羥基喹啉鋁(Alq3)電子傳輸層(5)和Cu/Ag合金陰極(6)構成，該發明的LED以QDs作為有源層，通過對QDs的尺寸調節，可得到不同波段的出射光，可獲得可見光波段多種有機發光二極管，通過將Alq3電子傳輸層制備成光子晶體結構，可以使得向Cu/Ag陰極發射的光產生全反射，從ITO透明電極出射。

上述兩個專利雖然也公開了應用量子點的發光二極管結構，但是采用的技術手段和技術方案均與本發明不同，也沒有解決上述技術問題。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明公開一種QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板，以克服現有技術中OLED器件層次結構多為有機材料，其發光波長覆蓋波長范圍較窄，色域（NTSC）較小，穩定性和色純度均不高，封裝成本較高、工序較復雜的問題。

為了實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種QD-LED像素顯示器件，其中，包括：

一復合膜層；以及，

于所述復合膜層上由下至上依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層；

其中，所述發光層采用無機量子點材料制成。

上述的QD-LED像素顯示器件，其中，所述復合膜層采用透明導電膜/金屬膜/透明導電膜材料制成，其厚度為10-20nm/140-160nm/10-20nm。

上述的QD-LED像素顯示器件，其中，所述空穴注入層采用PEDOT：PSS材料制成，其厚度為35-45nm。

上述的QD-LED像素顯示器件，其中，所述空穴傳輸層采用Poly-TPD材料制成，其厚度為35-45nm。

上述的QD-LED像素顯示器件，其中，所述發光層為CdSe/ZnS量子點薄膜，其厚度為2-6層單層量子點薄膜，其中，所述單層量子點薄膜的厚度為4-10nm。