[發明專利]QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板

在審

• 申請號: 201410073206.7
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN103824877A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 翟保才
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/54;H01L21/77;H01L51/56
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種QD-LED像素顯示器件，其特征在于，包括：

一復合膜層；以及，

于所述復合膜層上由下至上依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層；

其中，所述發光層采用無機量子點材料制成。

2.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述復合膜層采用透明導電膜/金屬膜/透明導電膜材料制成。

3.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述空穴注入層采用PEDOT：PSS材料制成，其厚度為35-45nm。

4.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述空穴傳輸層采用Poly-TPD材料制成，其厚度為35-45nm。

5.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述發光層為CdSe/ZnS量子點薄膜，其厚度為2-6層單層量子點薄膜；其中，所述單層量子點薄膜的厚度為4-10nm。

6.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述電子傳輸層采用ZnO無機膠體材料制成，其厚度為35-45nm。

7.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述電子傳輸層采用Alq₃小分子材料制成，其厚度為15-20nm。

8.如權利要求1所述的QD-LED像素顯示器件，其特征在于，所述陰極層采用金屬或者Mg/Ag合金材料制成，其厚度為20-30nm。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括：

一基底；

設置于所述基底上的數個薄膜晶體管；以及，

設置于所述薄膜晶體管中的如權利要求1-8中任意一項所述的QD-LED像素顯示器件。

10.如權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述基底為LTPS，HTPS或者A-Si。

11.如權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述QD-LED像素顯示器件的出光方式為頂發光或底發光。

12.如權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述QD-LED像素顯示器件的像素驅動包括AM和PM驅動模式。

13.一種QD-LED像素顯示器件的制作方法，其特征在于，采用如下步驟：

S1，通過物理氣相沉積、光刻、刻蝕形成復合膜層；

S2，在所述復合膜層上通過噴墨打印、納米壓印或凹面印刷方式依次形成空穴注入層、空穴傳輸層和發光層；

S3，在所述發光層上制備形成電子傳輸層；

S4，在所述電子傳輸層上通過熱蒸鍍方式形成陰極層。

14.如權利要求13所述的QD-LED像素顯示器件的制作方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述發光層為CdSe/ZnS量子點薄膜，其通過在所述空穴傳輸層上噴墨打印、納米壓印或凹面印刷R、G、B量子點-甲苯溶膠制備而成。

15.如權利要求13所述的QD-LED像素顯示器件的制作方法，其特征在于，在步驟S3中，所述電子傳輸層為在所述發光層上噴墨打印、納米壓印或凹面印刷ZnO-乙醇溶液制備而成。

16.如權利要求13所述的QD-LED像素顯示器件的制作方法，其特征在于，在步驟S3中，所述電子傳輸層為在所述發光層上熱蒸鍍小分子材料Alq₃制備而成。

17.如權利要求13所述的QD-LED像素顯示器件的制作方法，其特征在于，在步驟S4中，所述陰極層為在所述電子傳輸層上熱蒸鍍Mg/Ag合金制備而成。