[發明專利]雙引線框架多芯片共同封裝體的制造方法

無效

• 申請號: 201410073160.9
• 申請日: 2010-04-16
• 公開（公告）號: CN103996628A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 劉凱;石磊;魯軍;安荷·叭剌
• 申請（專利權）人: 萬國半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種雙引線框架多芯片共同封裝體的封裝制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供一個第一引線框架，所述第一引線框架包括第一芯片座及多個外部引腳；

步驟2：提供多個芯片，多個芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片，將第一芯片及第三芯片設置在第一芯片座上，所述多個芯片都分別包含底部接觸區及頂部接觸區，將第一芯片及第三芯片的底部接觸區與第一芯片座電學連接；

步驟3：提供一個第二引線框架，所述第二引線框架包括第二芯片座，通過多個引線連接第一芯片的頂部接觸區與第二芯片座；

步驟4：將第二芯片設置在第二芯片座上，并將所述第二芯片與所述第二芯片座電學連接；

步驟5：提供一個頂部連接片，并將頂部連接片連接第二芯片的頂部接觸區及第一引線框架的外部引腳，并且所述頂部連接片同時連接第三芯片的頂部接觸區；

步驟6：第一芯片和第二芯片的頂部接觸區包括一個柵接觸區，第一芯片和第二芯片的柵接觸區分別與第一引線框架的外部引腳連接；

步驟7：清洗引線框架，用塑封體封裝引線框架、連接片及芯片，僅露出部分引線框架的外部引腳，電鍍引腳。

2.根據權利要求1所述的雙引線框架多芯片共同封裝體的封裝制作方法，其特征在于，在步驟6中還包括以下步驟：

a）在第一芯片的柵極、第二芯片的柵極上回流焊料球形成凸點；

b）用引線分別連接第一芯片和第二芯片上的柵接觸區與第一引線框架的外部引腳。

3.根據權利要求1所述的雙引線框架多芯片共同封裝體的封裝制作方法，其特征在于，所述第一引線框架和第二引線框架為一個整體框架。