[發明專利]研磨裝置及研磨方法

在審

• 申請號: 201410072543.4
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104015109A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 中尾秀高;磯部壯一;勝岡誠司;松田尚起
• 申請（專利權）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: B24B9/00
• 分類號: B24B9/00;H01L21/304
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 梅高強;劉煜

技術領域

本發明涉及一種對形成有器件的晶片等基板進行研磨的研磨裝置及研磨方法，尤其涉及一種對基板的平坦面及周緣部進行研磨的多級研磨裝置及多級研磨方法。

背景技術

在半導體器件的制造工序中，為了去除不需要的材料膜，而對晶片的表面及周緣部(也稱為傘形部或邊緣部)進行研磨。該晶片的研磨工序大致分為：對晶片的平坦表面進行研磨的工序、以及對晶片的周緣部進行研磨的工序。晶片的平坦面的研磨是通過一邊將研磨液(漿料)供給到研磨墊等的研磨工具上，一邊使晶片的表面與研磨工具滑動接觸而進行的。這種采用漿料的研磨，被稱為化學機械研磨(CMP)。晶片周緣部的研磨是通過一邊將研磨液(通常為純水)供給于晶片，一邊使研磨帶與晶片周緣部滑動接觸而進行的。

專利文獻1：日本專利特許第4655369號公報

專利文獻2：日本專利特開2010-141218號公報

專利文獻3：日本專利特開2008-42220號公報

發明所要解決的課題

如專利文獻1至3所公開的那樣，提出了幾種對晶片的平坦面進行研磨，再對晶片的周緣部進行研磨的多級研磨方法。但是，在這種多級研磨中，在先前的研磨工序中所產生的研磨屑及/或漿料有時會給下一研磨工序帶來不良影響。例如，研磨屑有時會擦傷晶片。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而做成的，其目的在于提供一種能夠使晶片等基板不會產生擦傷等的缺陷地進行多級研磨的研磨裝置及研磨方法。

用于解決課題的手段

為實現上述目的，本發明的一形態是一種對基板進行研磨的研磨裝置，其特點是，具有：對所述基板的周緣部進行研磨的周緣部研磨單元；對所述基板的平坦面進行研磨的CMP單元；對研磨后的所述基板進行清洗的清洗單元；以及搬運所述基板的搬運系統，所述搬運系統如下述地動作：將由所述周緣部研磨單元及所述CMP單元中的一方研磨后的所述基板搬運到所述清洗單元，將由所述清洗單元清洗后的所述基板搬運到所述周緣部研磨單元及所述CMP單元中的另一方。

在本發明優選的形態中，其特點是，所述搬運系統如下述地動作：將由所述周緣部研磨單元及所述CMP單元中的所述另一方研磨后的所述基板搬運到所述清洗單元。

在本發明優選的形態中，其特點是，還具有對所述基板進行翻轉的翻轉機，所述翻轉機配置在所述周緣部研磨單元與所述CMP單元之間。

在本發明優選的形態中，其特點是，還具有對由所述清洗單元清洗后的所述基板進行干燥的干燥單元。

在本發明優選的形態中，其特點是，所述清洗單元包括：第1清洗單元，所述第1清洗單元用于對由所述周緣部研磨單元研磨后的所述基板進行清洗；以及第2清洗單元，所述第2清洗單元用于對由所述CMP單元研磨后的所述基板進行清洗。

本發明的另一形態是一種對基板進行研磨的研磨方法，其特點是，進行第1研磨工序，所述第1研磨工序是對所述基板進行研磨的工序，在所述第1研磨工序后對所述基板進行清洗，進行第2研磨工序，所述第2研磨工序是對清洗后的所述基板進行研磨的工序，所述第1研磨工序是對所述基板的周緣部及平坦面中的一方進行研磨的工序，所述第2研磨工序是對所述基板的周緣部及平坦面中的另一方進行研磨的工序。

在本發明優選的形態中，還包含：在所述第2研磨工序后對所述基板進行清洗的工序。

在本發明優選的形態中，還包含：在所述第2研磨工序后對所述基板進行清洗，進一步對所述基板進行干燥的工序。

在本發明優選的形態中，在所述第1研磨工序后對所述基板進行清洗的工序與在所述第2研磨工序后對所述基板進行清洗的工序，由不同的清洗單元進行。

發明的效果

采用本發明，在進行第1研磨工序后清洗基板，然后進行第2研磨工序。因此，第1研磨工序所產生的研磨屑及/或第1研磨工序所使用的漿料等從基板上被去除，可防止在第2研磨工序中產生擦傷等的缺陷。

附圖說明

圖1(a)及圖1(b)是表示作為基板一例子的晶片的放大剖視圖。

圖2是表示本發明的實施方式的研磨裝置的俯視圖。

圖3是表示周緣部研磨單元一例子的示意圖。

圖4是周緣部研磨單元的俯視圖。

圖5是研磨頭的放大圖。

圖6(a)至圖6(c)是表示通過傾斜機構改變研磨頭角度，并將研磨帶按壓于晶片的周緣部的狀態的示圖。

圖7是表示第1清洗單元的立體圖。

圖8是表示干燥單元的立體圖。