[發明專利]一種深溝槽隔離結構及其制備方法在審
| 申請號： | 201410072259.7 | 申請日： | 2014-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN104882471A | 公開（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發明（設計）人： | 王剛寧;王海強;陳宗高;俞謙榮;楊廣立;蒲賢勇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 深溝 隔離 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種深溝槽隔離結構的制備方法，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底中形成有淺溝槽隔離結構；
圖案化所述淺溝槽隔離結構和所述半導體襯底，以在所述淺溝槽隔離結構和所述半導體襯底中形成深溝槽；
在所述深溝槽的側壁上形成氧化物保護層（204）；
選用半導體材料填充所述深溝槽，以形成深溝槽隔離結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述深溝槽位于所述淺溝槽隔離結構的中間部位，以使所述淺溝槽隔離結構包圍所述深溝槽的頂部。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底中形成有有源區，所述深溝槽隔離結構位于所述有源區內。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用半導體材料填充所述深溝槽之后，還進一步包括平坦化的步驟。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體材料選用摻雜的多晶硅。
6.一種深溝槽隔離結構，包括：
半導體襯底；
淺溝槽隔離結構，位于所述半導體襯底中；
深溝槽隔離，嵌于所述淺溝槽隔離結構和所述半導體襯底中，所述淺溝槽隔離結構環繞包圍住所述深溝槽隔離的頂部。
7.根據權利要求6所述的深溝槽隔離結構，其特征在于，所述半導體襯底中還形成有有源區，所述淺溝槽隔離結構和所述深溝槽隔離位于所述有源區中。
8.根據權利要求7所述的深溝槽隔離結構，其特征在于，所述深溝槽隔離包括位于深溝槽側壁上的氧化物保護層以及位于中心的半導體材料。
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