[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201410072031.8
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104022080B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 森數洋司;武田昇
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;金玲

本發明提供晶片的加工方法，可將晶片沿著分割預定線高效率地分割成各個芯片、并且不使芯片的品質下降。晶片的加工方法將晶片沿著分割預定線分割成各個芯片，晶片加工方法包括：纖絲形成步驟，將對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位在待分割區域的內部進行照射，在晶片的內部沿著分割預定線形成非晶質的纖絲；和蝕刻步驟，通過使用對非晶質的纖絲進行蝕刻的蝕刻劑對沿著分割預定線形成的非晶質的纖絲進行蝕刻，將晶片沿著分割預定線分割成各個芯片。

技術領域

本發明涉及將半導體晶片或光器件晶片等的晶片沿著分割預定線分割成各個芯片的晶片的加工方法。

背景技術

如本領域人員所公知，在半導體器件制造過程中，在硅等的基板的表面通過層疊絕緣膜和功能膜而成的功能層形成將多個IC、LSI等的器件形成為矩陣狀的半導體晶片。這樣形成的半導體晶片通過分割預定線來劃分上述器件，并沿著該分割預定線來分割像這樣形成的半導體晶片，從而制造出各個半導體芯片。

并且，在光器件制造過程中，在藍寶石基板或碳化硅基板的表面層疊由n型氮化物半導體層和p型氮化物半導體層構成的光器件層，在由呈格子狀形成的多個分割預定線劃分的多個區域內形成發光二極管、激光二極管等的光器件來構成光器件晶片。然后，通過將光器件晶片沿著分割預定線切斷，分割形成有光器件的區域來制造各個芯片。

作為分割上述的半導體晶片或光器件晶片等的晶片的方法，還嘗試了這樣的激光加工方法：使用對于其被加工物具有透過性的波長的脈沖激光光線，使聚光點對準待分割區域的內部來照射脈沖激光光線。使用該激光加工方法的分割方法是這樣的技術：從晶片的一個面側使聚光點對準內部而照射對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在被加工物的內部沿著分割預定線連續地形成改質層，沿著由于形成該改質層而使強度下降的分割預定線施加外力，從而分割晶片（例如，參照專利文獻1）。

并且，作為將半導體晶片或光器件晶片等的晶片沿著分割預定線分割的方法，以下技術得到實用化：通過沿著分割預定線照射對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線來實施燒蝕加工并形成激光加工槽，通過沿著形成有成為該斷裂起點的激光加工槽的分割預定線施加外力進行割斷（例如，參照專利文獻2）。

【專利文獻1】日本專利第3408805號公報

【專利文獻2】日本特開平10－305420號公報

然而，為了在晶片的內部使激光光線的聚光點定位來形成改質層，有必要使用數值孔徑（NA）是0.8左右的聚光透鏡，為了將例如厚度300μm的晶片分割成各個器件，必須將改質層重疊多級來形成，具有生產性不良的問題。

并且，當照射了對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線時，在晶片的照射面附近實施燒蝕加工而使能量不浸透到晶片的內部，因而必須沿著分割預定線照射脈沖激光光線多次，具有生產性不良、并且碎片分散而使芯片的品質下降的問題。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而作成的，本發明的主要技術課題是提供一種可將晶片沿著分割預定線高效率地分割成各個芯片、并且不使芯片的品質下降的晶片加工方法。

為了解決上述主要技術課題，根據本發明，提供了一種晶片的加工方法，將晶片沿著分割預定線分割成各個芯片，該晶片的加工方法的特征在于包括：

纖絲形成步驟，將對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位在待分割區域的內部而進行照射，沿著分割預定線形成非晶質的纖絲；和

蝕刻步驟，通過使用對非晶質的纖絲進行蝕刻的蝕刻劑對沿著分割預定線形成的非晶質的纖絲進行蝕刻，將晶片沿著分割預定線分割成各個芯片。

對在上述纖絲形成步驟中照射的脈沖激光光線進行會聚的聚光透鏡的數值孔徑（NA）被設定為0.1～0.3。