[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201410072031.8
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104022080B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 森數洋司;武田昇
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;金玲

1.一種晶片的加工方法，將晶片沿著分割預定線分割成各個芯片，其中所述晶片包括上表面和下表面，該晶片的加工方法的特征在于包括：

纖絲形成步驟，將對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點定位在待分割區域的內部而進行照射，在晶片的內部沿著分割預定線并排地形成多個在上下方向上延伸的非晶質的纖絲，其中所述非晶質的纖絲中的每個纖絲由一個在上下方向上延伸的孔和形成在所述孔周圍的非晶質層構成，其中所述纖絲形成步驟在使得所述非晶質的多個纖絲的孔以規定的間隔彼此分離開的加工條件下執行；和

蝕刻步驟，使用對非晶質的纖絲進行蝕刻的蝕刻劑來對沿著分割預定線形成的非晶質的纖絲進行蝕刻，從而將晶片沿著分割預定線分割成一個個芯片，

其中，對在該纖絲形成步驟中照射的脈沖激光光線進行會聚的聚光透鏡的數值孔徑被設定為0.1～0.3，并且

其中所述非晶質的纖絲的每個孔和非晶質層從所述晶片的所述上表面延伸到所述晶片的所述下表面，從而完全貫通所述晶片而延伸。