[發明專利]一種保護膜的真空鍍膜方法有效
| 申請號: | 201410071761.6 | 申請日: | 2014-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN103774143A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 黃偉雄 | 申請(專利權)人: | 東莞星暉真空鍍膜塑膠制品有限公司 |
| 主分類號: | C23C28/00 | 分類號: | C23C28/00;C23C16/44;C23C14/26 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人: | 卞華欣 |
| 地址: | 523710 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 保護膜 真空鍍膜 方法 | ||
1.一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:包括以下制備步驟:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產品置于真空室,然后抽真空至5*10-3?Pa?-?6*10-2Pa,同時加熱至95-120℃,使容器的上層形成水蒸氣;
步驟2:鍍金屬膜:利用蒸發式鍍金屬膜的工藝鍍金屬膜;
步驟3:鍍完金屬膜之后通空氣:關閉擴散泵,打開分子柵,通過流量計向真空室充入空氣,并穩定真空度在0-20Pa保持0.2-1分鐘;
步驟4:清潔金屬膜表面:啟動離子轟擊電源,調節轟擊電流穩定在1-8A,持續時間1-3分鐘,然后關閉;
步驟5:然后鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽,并保持氣壓不變0.2-1分鐘,再次啟動離子轟擊電源,調節轟擊電流穩定在1-8A,然后保持3-8分鐘,使有機硅在金屬膜上逐層生長形成保護膜。
2.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述有機硅包括96-99%的六甲基二硅氧烷和1-4%的丙烷類溶劑。
3.根據權利要求2所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述有機硅包括99%的六甲基二硅氧烷和1%的丙烷類溶劑。
4.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述步驟1的抽真空為三級抽真空,第一級利用滑閥式真空泵抽真空至1000Pa,第二級利用羅茨泵抽真空至1-3Pa,第三級利用擴散泵抽真空至6*10-2?Pa?-?5*10-3Pa。
5.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述金屬膜的金屬材料為鋁、銀、鉻、錫、銦、銦錫合金中的任一種。
6.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述步驟2中的金屬膜材料為鋁,鍍鋁膜前,將真空室的各個獨立轉軸開始同步旋轉,第一步預熱至80-120℃保持30-50秒,第二步是預熔,溫度升至250-300℃保持10-25秒,讓鋁絲達到熔融的狀態;第三步,蒸發3-8秒,進一步提高鎢絲的電壓,增大鎢絲電流至溫度達700℃以上,使鎢絲成熾熱狀態,上面的液體鋁變為氣態分子蒸發到旋轉中的產品的各個表面,形成一層鋁膜,厚度10-35nm。
7.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述步驟2中的金屬膜材料為鋁,鍍鋁膜前,將真空室的各個獨立轉軸開始同步旋轉,第一步預熱至90-110℃保持30-50秒,第二步是預熔,溫度升至280-290℃保持10-25秒,讓鋁絲達到熔融的狀態;第三步,蒸發3-8秒,進一步提高鎢絲的電壓,增大鎢絲電流至溫度達700℃以上,使鎢絲成熾熱狀態,上面的液體鋁變為氣態分子蒸發到旋轉中的產品的各個表面,形成一層鋁膜,厚度10-25nm。
8.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述步驟5中的保護膜的厚度為10-30nm。
9.根據權利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法,其特征在于:所述步驟1中的真空室為立式雙門真空室。
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