[發(fā)明專利]發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410070095.4
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN104009143B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 盧一心;林奕翔;陳柏羽
• 申請（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)一種發(fā)光裝置、背光模塊(back light module)及照明模塊，特別關(guān)于一種具有熱敏電阻(thermistor)及發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊。

背景技術(shù)

在應用發(fā)光二極管的發(fā)光裝置中，有利用紅色LED芯片與藍色LED芯片搭配來產(chǎn)生照明光線，并且紅色LED芯片及／或藍色LED芯片還會進一步與熱敏電阻電性連接。該熱敏電阻的電阻值會隨著環(huán)境溫度的上升而改變，電阻值的變化可調(diào)整通過紅色LED芯片或藍色LED芯片的電流，進而調(diào)整紅色LED芯片或藍色LED芯片的發(fā)光亮度，彌補LED芯片的光衰特性。

然而，該熱敏電阻通常為表面固定技術(shù)(Surface Mount Techno1ogy，SMT)型態(tài)，其需借由回焊工藝(reflow process)才能固定至電路基板上。此外，SMT型態(tài)的熱敏電阻需設置于兩電極的交界處上，才能使得熱敏電阻的陽極端及陰極端分別電性連接到兩電極，嚴重局限基版電路設計。另一方面，SMT型態(tài)的熱敏電阻具有較大的尺寸(即毫米級)，在今日發(fā)光裝置微小化至毫米級的情況下，無法將傳統(tǒng)的熱敏電阻封裝于承載組件內(nèi)，有礙于照明設備的微型化發(fā)展。

有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新的發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊，能夠改進一般現(xiàn)有的發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設計，并經(jīng)過反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊存在的缺陷，而提供一種新的發(fā)光裝置、背光模塊及照明模塊，所要解決的技術(shù)問題是使其熱敏電阻具有芯片級(chip leve1)尺寸，即從發(fā)光裝置頂面觀之，其與現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片面積相當，可封裝于承載組件內(nèi)，且可借由發(fā)光二極管芯片的固晶打線工藝固定于裝置的電極上并與發(fā)光二極管芯片電性連接，使得該發(fā)光裝置的封裝較為便利，非常適于實用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的發(fā)光裝置，包括：承載組件，具有多個電極，其中上述多個電極至少包括第一電極及第二電極；第一發(fā)光二極管芯片，設置于該承載組件上；熱敏電阻，設置于該承載組件上，并與該第一發(fā)光二極管芯片電性連接；以及多個金屬導線，協(xié)同上述多個電極、該第一發(fā)光二極管芯片以及該熱敏電阻形成電路；其中，從該發(fā)光裝置的頂面觀之，該熱敏電阻具有芯片級的尺寸。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的熱敏電阻的尺寸為約0.15mm乘約0.15mm至約1mm乘約1mm。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的熱敏電阻具有第一接著區(qū)及第二接著區(qū)，該第一接著區(qū)固定于上述多個電極中。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的多個金屬導線包括第一金屬導線，該第一金屬導線是電性連接該熱敏電阻與該第一發(fā)光二極管芯片。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的發(fā)光裝置更包括第二發(fā)光二極管芯片，設置于該承載組件上，并與該熱敏電阻電性及／或該第一發(fā)光二極管芯片連接。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的多個金屬導線更包括第二金屬導線，該第二金屬導線是電性連接該熱敏電阻及該第二發(fā)光二極管芯片。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的第一發(fā)光二極管芯片、該第二發(fā)光二極管芯片及該熱敏電阻是分別設置于該第一電極或該第二電極上。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的第一發(fā)光二極管芯片與該熱敏電阻是設置于同一個該電極上。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的多個電極更包括第三電極，該第一發(fā)光二極管芯片、該第二發(fā)光二極管芯片及該熱敏電阻是分別設置于該第一電極、該第二電極或該第三電極上。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的第一發(fā)光二極管芯片與該熱敏電阻是設置于同一個該電極上。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的芯片級熱敏電阻為正溫度系數(shù)(positive thermal coefficient)。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的熱敏電阻在低于特定溫度時具有第一電阻增加率，而在高于該特定溫度時具有第二電阻增加率；該第二電阻增加率大于該第一電阻增加率，而該特定溫度介于約攝氏60度至約攝氏110度之間。

前述的發(fā)光裝置，其中所述的特定溫度介于攝氏65度至75度之間。