[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410069523.1
• 申請(qǐng)日: 2014-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN103839888B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹占鋒;張峰;張文林;張斌;劉震;姚琪;章志興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L23/50
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

目前，液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速，己經(jīng)取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為當(dāng)下平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)以其大尺寸、高度集成、功能強(qiáng)大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢(shì)成為了顯示器領(lǐng)域發(fā)展的主流趨勢(shì)。

隨著人們對(duì)TFT-LCD顯示圖像品質(zhì)的不斷追求，其分辨率在不斷地提高，單個(gè)像素的尺寸變得越來越小，相應(yīng)地，陣列基板中的數(shù)據(jù)線的線寬也在逐漸減小，其中，數(shù)據(jù)線(及源極、漏極)的制備過程通常是采用濕法刻蝕工藝形成的，由于濕法刻蝕難以達(dá)到絕對(duì)的均勻性，因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線的線寬不斷減小時(shí)，數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路(Data?open)的幾率也相應(yīng)地增大。

當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)無法傳輸?shù)较鄳?yīng)的像素區(qū)域，導(dǎo)致屏幕上出現(xiàn)一條亮線或暗線，影響了TFT-LCD的圖像正常顯示。基于現(xiàn)有生產(chǎn)工序所完成的陣列基板難以對(duì)發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線進(jìn)行快速有效的修復(fù)，降低了陣列基板的良品率，從而限制了高分辨率TFT-LCD的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可以解決數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路后數(shù)據(jù)信號(hào)無法導(dǎo)通的問題，提高了所述陣列基板的良品率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，該方法包括：在襯底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修復(fù)導(dǎo)線；在形成有所述修復(fù)導(dǎo)線的基板上形成包括多個(gè)過孔的隔離層；其中，所述過孔與所述修復(fù)導(dǎo)線垂直對(duì)應(yīng)，且沿所述第一方向，在任意兩個(gè)相鄰的源極之間的區(qū)域，至少形成有一個(gè)所述過孔；在形成有所述隔離層的基板上形成包括源極、漏極、以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修復(fù)導(dǎo)線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對(duì)應(yīng)，且所述數(shù)據(jù)線通過所述隔離層上的所述過孔與所述修復(fù)導(dǎo)線接觸。

優(yōu)選的，在任意兩個(gè)相鄰的源極之間的區(qū)域，形成有兩個(gè)所述過孔，且兩個(gè)所述過孔靠近所述源極。

優(yōu)選的，所述形成沿第一方向平行排布的多根修復(fù)導(dǎo)線，包括：采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復(fù)導(dǎo)線、以及與所述修復(fù)導(dǎo)線同層的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層；其中，所述源極和所述漏極與所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層直接接觸。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復(fù)導(dǎo)線、以及與所述修復(fù)導(dǎo)線同層的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層，具體包括：形成呈半導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜，并在所述金屬氧化物薄膜之上形成光刻膠層；采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板對(duì)形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對(duì)應(yīng)待形成的所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對(duì)應(yīng)待形成的所述修復(fù)導(dǎo)線的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對(duì)應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述金屬氧化物薄膜，形成所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層和金屬氧化物半導(dǎo)體保留圖案；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述金屬氧化物半導(dǎo)體保留圖案；對(duì)露出的所述金屬氧化物半導(dǎo)體保留圖案進(jìn)行金屬化處理，使所述金屬氧化物半導(dǎo)體保留圖案轉(zhuǎn)化為呈導(dǎo)體特性的所述修復(fù)導(dǎo)線；采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。

優(yōu)選的，所述在形成有所述修復(fù)導(dǎo)線的基板上形成包括多個(gè)過孔的隔離層，包括：采用一次構(gòu)圖工藝形成包括多個(gè)隔離條的所述隔離層、以及與所述隔離條同層的刻蝕阻擋圖案；其中，多個(gè)隔離條沿所述第一方向平行排布；任一個(gè)所述隔離條與一根所述修復(fù)導(dǎo)線垂直對(duì)應(yīng)，且所述過孔形成于所述隔離條上；所述刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極之間的間隙對(duì)應(yīng)，且所述刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極、以及所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層均直接接觸。

可選的，在襯底基板上形成所述修復(fù)導(dǎo)線、以及與所述修復(fù)導(dǎo)線同層的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層，包括：在所述襯底基板的表面形成包括柵極、柵線的柵金屬層；在形成有包括所述柵極、所述柵線的柵金屬層的基板上形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層的基板上形成修復(fù)導(dǎo)線、以及與所述修復(fù)導(dǎo)線同層的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。

可選的，所述方法還包括：在形成有包括所述源極、所述漏極、以及與所述源極電連接的所述數(shù)據(jù)線的源漏金屬層的基板上依次形成柵絕緣層、以及包括柵極、柵線的柵金屬層。