[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410069523.1
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN103839888B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發明（設計）人: 曹占鋒;張峰;張文林;張斌;劉震;姚琪;章志興
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L23/50
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線；

在形成有所述修復導線的基板上形成包括多個過孔的隔離層；其中，所述過孔與所述修復導線垂直對應，且沿所述第一方向，在任意兩個相鄰的源極之間的區域，至少形成有一個所述過孔；

在形成有所述隔離層的基板上形成包括源極、漏極、以及與所述源極電連接的數據線的源漏金屬層；所述數據線沿所述第一方向平行排布；

其中，任一根所述修復導線與一根所述數據線垂直對應，且所述數據線通過所述隔離層上的所述過孔與所述修復導線接觸。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在任意兩個相鄰的源極之間的區域，形成有兩個所述過孔，且兩個所述過孔靠近所述源極。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述形成沿第一方向平行排布的多根修復導線，包括：

采用一次構圖工藝形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層；

其中，所述源極和所述漏極與所述金屬氧化物半導體有源層直接接觸。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述采用一次構圖工藝形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層，具體包括：

形成呈半導體特性的金屬氧化物薄膜，并在所述金屬氧化物薄膜之上形成光刻膠層；

采用半色調掩模板或灰色調掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應待形成的所述金屬氧化物半導體有源層的區域，所述光刻膠半保留部分對應待形成的所述修復導線的區域，所述光刻膠完全去除部分對應其他區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述金屬氧化物薄膜，形成所述金屬氧化物半導體有源層和金屬氧化物半導體保留圖案；

采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述金屬氧化物半導體保留圖案；

對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案進行金屬化處理，使所述金屬氧化物半導體保留圖案轉化為呈導體特性的所述修復導線；

采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有所述修復導線的基板上形成包括多個過孔的隔離層，包括：

采用一次構圖工藝形成包括多個隔離條的所述隔離層、以及與所述隔離條同層的刻蝕阻擋圖案；

其中，多個隔離條沿所述第一方向平行排布；任一個所述隔離條與一根所述修復導線垂直對應，且所述過孔形成于所述隔離條上；

所述刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極之間的間隙對應，且所述刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極、以及所述金屬氧化物半導體有源層均直接接觸。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板上形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層，包括：

在所述襯底基板的表面形成包括柵極、柵線的柵金屬層；

在形成有包括所述柵極、所述柵線的柵金屬層的基板上形成柵絕緣層；

在形成有所述柵絕緣層的基板上形成修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

在形成有包括所述源極、所述漏極、以及與所述源極電連接的所述數據線的源漏金屬層的基板上依次形成柵絕緣層、以及包括柵極、柵線的柵金屬層。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板，設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的源極電連接的沿第一方向平行排布數據線；

所述陣列基板還包括位于所述數據線下方的包括多個過孔的隔離層、以及位于所述隔離層下方的沿所述第一方向平行排布的多根修復導線；

其中，沿所述第一方向，所述隔離層對應于任意兩個相鄰的源極之間的區域內至少包括一個所述過孔；

任一根所述修復導線與一根所述數據線垂直對應，且所述數據線通過所述隔離層上的所述過孔與所述修復導線接觸。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，在任意兩個相鄰的源極之間的區域包括兩個所述過孔，且兩個所述過孔靠近所述源極設置。