[發(fā)明專利]芯片布置和用于制造芯片布置的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410069146.1
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104021413A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·赫格爾;F·皮施納;P·斯坦普卡
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01Q1/22;H01L23/12;H01L23/14;H01L21/58
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施例總體上涉及一種芯片布置和一種用于制造芯片布置的方法。

背景技術(shù)

總體而言，集成電路或芯片可以被包含在通常由塑料材料制成的小型殼體內(nèi)，小型殼體是所謂的智能卡、芯片卡、或集成電路卡。可能存在包括例如個人識別在內(nèi)的大量應(yīng)用。芯片卡可以包括接觸焊盤結(jié)構(gòu)以用于將該芯片卡電連接至外部裝置，例如電連接至讀卡器。在不同類型的智能卡之中，存在非接觸式的智能卡，使得通過使用感應(yīng)技術(shù)（例如射頻）可以實(shí)現(xiàn)該卡的數(shù)據(jù)交換以及該卡的功率供應(yīng)。對芯片、芯片封裝體或芯片布置的技術(shù)要求還可以考慮芯片可能經(jīng)受的機(jī)械負(fù)載。在常見的方法中，芯片、芯片封裝體或芯片布置可以具有如下厚度，該厚度可以允許芯片、芯片封裝體或芯片布置彎折或變形而不使芯片的體硅斷裂或?qū)ζ湓斐晌锢頁p壞。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)各種實(shí)施例，提供了一種芯片布置，該芯片布置包括：芯片；被設(shè)置在芯片的第一側(cè)之上的天線結(jié)構(gòu)，其中天線結(jié)構(gòu)包括被導(dǎo)電地耦合至芯片的天線；以及增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，該增強(qiáng)結(jié)構(gòu)支撐芯片以提高芯片布置的穩(wěn)定性。

附圖說明

在附圖中，貫穿不同的視圖，類似的參考符號總體上指代相同的部分。附圖不必是按比例的，而是總體上將重點(diǎn)放在圖示本發(fā)明的原理。在以下說明中，參照附圖對本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行描述，在附圖中：

圖1A和圖1B分別示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖2A示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖2B示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的透視圖；

圖2C和圖2D分別示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖2E示意性地詳細(xì)示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的一部分的截面視圖；

圖3A和圖3B分別示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖4示出了根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片布置的方法的流程圖；

圖5A至圖5E分別示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例在制造工藝內(nèi)的各個處理階段的芯片布置的截面視圖；

圖6A和圖6B分別示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖7示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖8A和圖8B分別示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面視圖；

圖9示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的透視圖；

圖10示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的透視圖；

圖11示意性地示出了用于芯片布置的測試裝置的透視圖；

圖12示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的焊接型芯片布置的透視圖；

圖13示意性地示出了根據(jù)各種實(shí)施例的膠粘型芯片布置的透視圖；

具體實(shí)施方式

以下詳細(xì)說明參考了附圖，附圖通過圖示方式示出了可以實(shí)踐本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)和實(shí)施例。

詞語“示例性的”在本文中用來意指“充當(dāng)實(shí)例、例子、或圖示”。在本文中被描述為“示例性的”任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)未必被解釋為是比其它實(shí)施例或設(shè)計(jì)更優(yōu)選或更有利的。

關(guān)于形成在側(cè)面或表面“之上”的沉積材料所使用的詞語“之上”在本文中可以用來意指所沉積的材料可以“直接”形成在所暗指的側(cè)面或表面上，例如，與其直接相接觸。關(guān)于形成在側(cè)面或表面“之上”的沉積的材料所使用的詞語“之上”在本文中可以用來意指所沉積的材料可以“間接地”形成在所暗指的側(cè)面或表面上，其中在所暗指的側(cè)面或表面與沉積的材料之間布置有一個或多個附加層。

關(guān)于第一構(gòu)件與第二構(gòu)件“耦合或連接”所使用的詞語“耦合或連接”在本文中可以用來意指第一構(gòu)件可以與第二構(gòu)件“直接機(jī)械地連接”或與第二構(gòu)件“間接機(jī)械地連接”，其中一個附加構(gòu)件或多于一個的附加構(gòu)件可以被布置在第一構(gòu)件與第二構(gòu)件之間而使得附加構(gòu)件或多于一個的附加構(gòu)件可以提供物理性連接。關(guān)于第一構(gòu)件與第二構(gòu)件“電耦合”或“導(dǎo)電地耦合”所使用的詞語“電耦合或電連接”或“導(dǎo)電地耦合”在本文中可以用來意指第一構(gòu)件可以與第二構(gòu)件“直接電連接”或“直接導(dǎo)電地連接”或與第二構(gòu)件“間接電連接”或“間接導(dǎo)電地連接”，其中一個附加構(gòu)件或多于一個的附加構(gòu)件可以被布置在第一構(gòu)件與第二構(gòu)件之間而使得附加構(gòu)件或多于一個的附加構(gòu)件可以提供電連接或?qū)щ娺B接。