[發明專利]芯片布置和用于制造芯片布置的方法

在審

• 申請號: 201410069146.1
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104021413A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: J·赫格爾;F·皮施納;P·斯坦普卡
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01Q1/22;H01L23/12;H01L23/14;H01L21/58
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種芯片布置，包括：

芯片；

被設置在所述芯片的第一側之上的天線結構，所述天線結構包括被導電地耦合至所述芯片的天線；以及

支撐所述芯片以提高所述芯片布置的穩定性的增強結構。

2.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述天線和所述增強結構被形成在相同層中。

3.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述增強結構由金屬和金屬合金中的至少一個形成。

4.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述天線和所述增強結構由相同材料形成。

5.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述天線結構進一步包括載體，其中所述天線和所述增強結構被布置在所述載體的面向所述芯片的相同側上。

6.根據權利要求5所述的芯片布置，

其中焊接層和膠粘層中的至少一個被布置在所述芯片與所述載體之間，以用于將所述芯片附接在所述載體上。

7.根據權利要求5所述的芯片布置，

其中所述天線結構進一步包括附加天線，其中所述附加天線被布置在所述載體的背離所述芯片的相對側上。

8.根據權利要求5所述的芯片布置，進一步包括：

被布置在所述載體的面向所述芯片的一側上的電接觸結構；以及

被布置在所述載體的背離所述芯片的一側上的接觸焊盤結構，其中所述電接觸結構將所述芯片電連接至所述接觸焊盤結構。

9.根據權利要求9所述的芯片布置，

其中所述接觸焊盤結構的至少一部分被配置為被布置以提高所述芯片布置的穩定性的附加增強結構。

10.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述芯片進一步包括覆蓋所述芯片的至少一側的至少一個芯片覆蓋層。

11.根據權利要求10所述的芯片布置，

其中所述芯片覆蓋層包括塑料材料和聚合物中的至少一個。

12.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述增強結構具有在從約5μm至約100μm范圍內的厚度。

13.根據權利要求1所述的芯片布置，

其中所述芯片具有等于或小于約100μm的厚度。

14.一種用于制造芯片布置的方法，所述方法包括：

在載體的第一側上形成天線；

在所述載體的所述第一側之上形成增強結構，

將芯片附接在所述載體上而使得所述芯片被所述增強結構保護，其中所述芯片被電連接至所述天線。

15.根據權利要求14所述的方法，

其中在載體的第一側上形成所述天線包括應用銅蝕刻技術和鋁蝕刻技術中的至少一個。

16.根據權利要求14所述的方法，

其中在載體的第一側上形成所述天線包括在所述載體之上形成天線，其中所述載體具有等于或小于約200μm的厚度。

17.根據權利要求14所述的方法，

其中在所述載體之上形成所述增強結構包括形成具有等于或大于約20μm的厚度的銅層。

18.根據權利要求14所述的方法，

其中將所述芯片附接在所述天線結構上包括附接具有等于或小于約100μm的厚度的芯片。

19.根據權利要求14所述的方法，

其中將所述芯片附接在所述載體上包括焊接工藝和膠粘工藝中的至少一個。

20.根據權利要求14所述的方法，

其中形成所述天線結構和形成所述增強結構在完全相同的工藝中進行。

21.根據權利要求14所述的方法，進一步包括：

形成被布置在所述載體的背離所述芯片的一側上的附加增強結構。

22.根據權利要求21所述的方法，

其中形成附加增強結構進一步包括形成接觸焊盤結構，其中所述附加增強結構是所述接觸焊盤結構的至少一部分，其中所述接觸焊盤結構被電連接至所述芯片。

23.根據權利要求14所述的方法，

其中在卷到卷系統中對所述載體進行處理。