[發明專利]多次可規劃非易失性查找表及輸出位產生方法

有效

• 申請號: 201410068933.4
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104008775B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 王立中
• 申請（專利權）人: 閃矽公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 任默聞

1.一種多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，所述多次可規劃非易失性查找表用以接收一個N位輸入信號及產生一輸出位，所述多次可規劃非易失性查找表包含：

2^N個非易失性存儲器單元配對，各非易失性存儲器單元具有一源極、一漏極、一浮柵、一控制柵以及一通道區，其中，各所述非易失性存儲器單元配對共用一相對應共源極且各所述非易失性存儲器單元配對的控制柵互相連接，其中，于各規劃周期之后，各所述非易失性存儲器單元配對被規劃成一被抹除單元和一被程序化單元；以及

一切換單元，耦接至所述2^N個非易失性存儲器單元配對的2^N個共源極，用以依據所述N位輸入信號，從所述2^N個共源極產生的2^N個邏輯數值中選擇其中一個輸出當作所述輸出位；

其中，于一正常操作模式中，各所述非易失性存儲器單元配對具有一第一漏極耦接至一操作電壓端、一第二漏極耦接至一接地電壓端、以及其相對應共源極產生一相對應邏輯數值，而所述相對應邏輯數值是對應于耦接至各所述非易失性存儲器單元配對中的其中一個被導通非易失性存儲器單元的兩個電壓端的其一所承載的電壓。

2.根據權利要求1所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，所述多次可規劃非易失性查找表是應用于一現場可編程門陣列的邏輯元件。

3.根據權利要求1所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，于所述正常操作模式，當各所述非易失性存儲器單元為N型時，一控制柵電壓V_CG被施加至所述2^N個非易失性存儲器單元配對的控制柵，且(V_tL+V_DD)<V_CG<V_tH，其中V_tL和V_tH分別代表各所述非易失性存儲器單元的低臨界電壓和高臨界電壓，以及其中，V_DD代表一操作電壓。

4.根據權利要求1所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，當各所述非易失性存儲器單元為N型時，于所述正常操作模式下，于各所述非易失性存儲器單元配對中，在一低臨界電壓狀態的被抹除單元為導通狀態，而在一高臨界電壓狀態的被程序化單元為切斷狀態。

5.根據權利要求1所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，在各規劃周期之前，所有所述非易失性存儲器單元被抹除至一低臨界電壓狀態。

6.根據權利要求1所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，在各規劃周期期間，所述2^N個非易失性存儲器單元配對是以并行方式被規劃。

7.根據權利要求6所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，在各規劃周期期間，當各所述非易失性存儲器單元為N型時，一高電壓脈沖被施加至所述2^N個非易失性存儲器單元配對的控制柵、且一程序化高電壓被施加至各所述非易失性存儲器單元配對中被選定的非易失性存儲器單元的漏極。

8.根據權利要求1所述的多次可規劃非易失性查找表，其特征在于，所述切換單元為一N位數字切換多工器。