[發明專利]一種雙層膜結構的高溫納米電熱膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201410068843.5
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN103796346A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 李毅;袁文瑞;鄭鴻柱;陳少娟;陳建坤;孫瑤;唐佳茵;郝如龍;劉飛;方寶英;王小華;佟國香;肖寒
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: H05B3/12
• 分類號: H05B3/12;H05B3/34;C23C14/35;B32B9/04
• 代理公司: 上海東創專利代理事務所(普通合伙) 31245
• 代理人: 寧芝華

1.一種雙層膜結構的高溫納米電熱膜，由石英基底、合金薄膜電極、碳化硅和二硅化鉬復合膜層組成；其特征在于:先在石英基底上制備合金薄膜電極，然后在鍍有合金薄膜電極的石英基底上分別沉積碳化硅膜層和二硅化鉬膜層；將二硅化鉬膜層表面氧化形成薄的二氧化硅保護層；其中所述的濺射粒子為納米級，所述的碳化硅和二硅化鉬復合膜層的厚度為納米級。

2.根據權利1所述的一種雙層膜結構的高溫納米電熱膜，其特征在于:所述的合金薄膜電極為鉑合金薄膜電極或者鈷基合金薄膜電極。

3.根據權利1所述的一種雙層膜結構的高溫納米電熱膜，其特征在于:所述的碳化硅膜層為純度99.950%的碳化硅，所述的二硅化鉬膜層為純度99.950%的二硅化鉬。

4.根據權利1所述的一種雙層膜結構的高溫納米電熱膜，其特征在于:所述的石英基底為耐高溫的石英片或石英管，或者形狀為曲面耐高溫石英基底。

5.根據權利要求1所述的一種雙層膜結構的高溫納米電熱膜的制備方法，其特征在于:利用磁控濺射的方法，先在石英基底上掩膜濺射合金薄膜電極，然后沉積碳化硅，再沉積二硅化鉬，從而獲得雙層膜結構；具體步驟如下:

A)在鍍有合金薄膜電極的石英基底上將碳化硅和二硅化鉬，依次采用射頻磁控濺射的方式鍍膜；所述的射頻頻率為13.56MHz；濺射室本底真空度為2e-4Pa～5e-3Pa，以純度至少為99.99%的氬氣為工作氣體，工作氣壓1Pa，流量80sccm，靶間距為80mm，濺射功率為200W，濺射時石英基底溫度500℃，基底負偏壓20V；

B)在混合氣氛下采用高溫退火氧化工藝，將二硅化鉬膜層表面氧化，形成薄的二氧化硅保護層；退火溫度為980℃，退火混合氣氛最優配比為體積分數60%-75%的氬氣、體積分數15%-25%的氮氣和體積分數10%-15%的氧氣，退火時間4h。