[發明專利]光伏元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410068654.8
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104037242A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 布迪·賈約諾;楊明瑞;丁傳文;邱玉婷;譚任廷;吳文生;沈國偉;胡芳維
• 申請（專利權）人: 旭泓全球光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 于寶慶;劉春生

1.一種光伏元件，包含：

一半導體結構組合，具有多個側表面，且包含選自由一p-n接面、一n-p接面、一p-i-n接面、一n-i-p接面、一雙接面及一多重接面所組成的群組中的其一接面；以及

一第一保護層，形成以被覆該多個側表面，其中該第一保護層能抑制該光伏元件發生電勢誘發衰減效應。

2.根據權利要求1的光伏元件，其中該第一保護層的組成選自由氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿以及上述化合物的混合物所組成的一群組中的其一。

3.根據權利要求2的光伏元件，進一步包含一第二保護層，形成以被覆該第一保護層，該第二保護層的組成選自由氮化硅、氮氧化硅以及上述化合物的混合物所組成的一群組中的其一。

4.根據權利要求2的光伏元件，其中該半導體結構組合還具有一正表面以及一與該正表面相對的背表面，該正表面經粗紋化處理，該第一保護層并延伸至該正表面的一邊緣，且延伸至該背表面的一邊緣，該光伏元件進一步包含：

一抗反射層，形成于該正表面上并被覆延伸至該正表面的邊緣的該第一保護層；

一正電極，形成于該抗反射層上，且與該正表面形成歐姆接觸；

至少一背面匯流排電極，形成在該背表面上；以及

一背電極，形成于該背表面上且覆蓋該背表面上形成該至少一背面匯流排電極以外的區域。

5.根據權利要求2的光伏元件，其中該半導體結構組合還具有一正表面以及一與該正表面相對的背表面，該正表面經粗紋化處理，該第一保護層并延伸至以覆蓋該正表面，且延伸至該背表面的一邊緣，該光伏元件進一步包含：

一抗反射層，形成以被覆覆蓋在該正表面上的該第一保護層；

一正電極，形成于該抗反射層上，且與該正表面形成歐姆接觸；

至少一背面匯流排電極，形成在該背表面上；以及

一背電極，形成于該背表面上且覆蓋該背表面上形成該至少一背面匯流排電極以外的區域。

6.根據權利要求2的光伏元件，其中該半導體結構組合還具有一正表面以及一與該正表面相對的背表面，該正表面經粗紋化處理，該第一保護層并延伸至該正表面的一邊緣，且延伸以覆蓋該背表面，該光伏元件進一步包含：

一抗反射層，形成于該正表面上并被覆延伸至該正表面的邊緣的該第一保護層；

一正電極，形成于該抗反射層上，且與該正表面形成歐姆接觸；

至少一背面匯流排電極，形成于該第一保護層上，且與該背表面形成歐姆接觸；以及

一背電極，形成以被覆該第一保護層且未被覆該至少一背面匯流排電極。

7.根據權利要求2的光伏元件，其中該半導體結構組合還具有一正表面以及一與該正表面相對的背表面，該正表面經粗紋化處理，該第一保護層并延伸以覆蓋該正表面，且延伸以覆蓋該背表面，該光伏元件進一步包含：

一抗反射層，形成以被覆覆蓋在該正表面上的該第一保護層；

一正電極，形成于該抗反射層上，且與該正表面形成歐姆接觸；

至少一背面匯流排電極，形成于該第一保護層上，且與該背表面形成歐姆接觸；以及

一背電極，形成以被覆該第一保護層且未被覆該至少一背面匯流排電極。

8.一種制造一光伏元件的方法，包含下列步驟：

制備一半導體結構組合，其中該半導體結構組合具有多個側表面，且包含選自由一p-n接面、一n-p接面、一p-i-n接面、一n-i-p接面、一雙接面及一多重接面所組成的群組中的其一接面；以及

形成一第一保護層，以被覆該多個側表面，其中該第一保護層能抑制該光伏元件發生電勢誘發衰減效應。

9.根據權利要求8的方法，其中該第一保護層的組成選自由氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿以及上述化合物的混合物所組成的一群組中的其一。

10.根據權利要求9的方法，進一步包含下列步驟：

形成一第二保護層，以被覆該第一保護層，其中該第二保護層的組成選自由氮化硅、氮氧化硅以及上述化合物的混合物所組成的一群組中的其一。