[發明專利]FLASH存儲裝置、擦除方法及編程方法

在審

• 申請號: 201410067931.3
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104882166A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 胡洪;陳建梅
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;孟金喆

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種FLASH存儲裝置及FLASH存儲裝置的擦除方法和編程方法。

背景技術

FLASH存儲裝置的使用主要是反復的擦除與編程，以及對FLASH存儲裝置中存儲數據進行讀取的過程。

FLASH存儲裝置的擦除或編程是指根據FLASH存儲裝置中預設的擦除條件和編程條件，改變存儲單元閾值電壓，進而改變存儲單元存儲數據狀態的過程。擦除條件或編程條件指使存儲單元閾值電壓變化的條件，例如存儲單元控制柵極（CG）電壓、源極（S）電壓、存儲單元所在阱區電壓、以及擦除或編程時時間步長或步長的變化頻率等；以此，改變存儲單元的閾值電壓，進而改變存儲單元數據存儲狀態，存儲數據0或存儲數據1。

現有技術中，FLASH存儲裝置預設的擦除條件或編程條件固化在存儲裝置中，隨著FLASH存儲裝置使用周期的延續，并不會發生改變。但隨著使用周期的延續，現有技術中FLASH存儲裝置中存儲單元由于受擦除、編程或讀取時電壓等的影響，存儲單元中電荷的分布狀態會產生變化，進而改變存儲單元的閾值電壓，使得FLASH存儲裝置中預設的擦除或編程條件不能對FLASH存儲裝置中存儲單元進行有效的擦除或編程，進而使得FLASH存儲裝置的擦除或編程性能降低，影響FLASH存儲裝置的可靠性。

發明內容

本發明的目的在于提出一種FLASH存儲裝置及FLASH存儲裝置的擦除方法和編程方法，以提升FLASH存儲裝置的可靠性。

在第一方面，本發明實施例提供了一種FLASH存儲裝置，包括：

存儲陣列；

所述存儲陣列包括數據存儲模塊和快表模塊；

所述數據存儲模塊包括m個子數據存儲模塊；

所述快表模塊包括m個子快表模塊，所述m個子快表模塊分別存儲所述m個子數據存儲模塊的擦除條件和/或編程條件；所述擦除條件或編程條件指施加于子數據存儲模塊，以使子數據存儲模塊中存儲單元閾值電壓變化的條件；

對存儲陣列中預擦除或預編程子數據存儲模塊進行擦除或編程時，獲取與所述預擦除或預編程子數據存儲模塊對應的子快表模塊中存儲的擦除或編程條件，根據所述子快表模塊存儲的擦除或編程條件對所述預擦除或預編程子數據存儲模塊進行擦除操作或編程操作；

其中，m為正整數，1≤m。

進一步的，所述的FLASH存儲裝置，所述m個子快表模塊分別存儲有所述m個子數據存儲模塊的擦除條件；

擦除時，獲取擦除指令中預擦除子數據存儲模塊的地址；

根據所述預擦除子數據存儲模塊的地址，獲取所述預擦除子數據存儲模塊所對應子快表模塊中存儲的擦除條件；

根據所述擦除條件對預擦除子數據存儲模塊進行擦除操作；以及；

擦除完成后，根據所述擦除操作更新所述預擦除子數據存儲模塊所對應子快表模塊中的擦除條件。

進一步的，所述的FLASH存儲裝置，所述m個子快表模塊分別存儲有所述m個子數據存儲模塊的編程條件；

編程時，獲取編程指令中預編程子數據存儲模塊的地址；

根據所述編程除子數據存儲模塊的地址，獲取所述預編程子數據存儲模塊所對應子快表模塊中存儲的編程條件；

根據所述編程條件對預編程子數據存儲模塊進行編程操作；以及；

編程完成后，根據所述編程操作更新所述預編程子數據存儲模塊所對應子快表模塊中的編程條件。

進一步的，所述的FLASH存儲裝置，還包括：

位線選擇電路，所述位線選擇電路電連接于所述存儲陣列的數據存儲模塊中存儲單元的漏極；以選擇數據存儲模塊中的存儲單元；

字線驅動電路，所述字線驅動電路電連接于所述數據存儲模塊中存儲單元的控制柵極，以提供擦除或編程時數據存儲模塊中存儲單元所需電壓；

邏輯控制單元；提供所述FLASH存儲裝置工作時所需的邏輯控制。

進一步的，所述的FLASH存儲裝置所述m個子數據存儲模塊大小相同。

在第二方面，本發明實施例還提供了一種FLASH存儲裝置的擦除方法，包括：

FLASH存儲裝置接收擦除指令；

根據所述擦除指令，獲取預擦除子數據存儲模塊的地址；

根據所述預擦除子數據存儲模塊的地址，獲取與所述預擦除子數據存儲模塊所對應的子快表模塊中存儲的擦除條件；

根據所述擦除條件對所述預擦除子數據存儲模塊進行擦除操作。