[發(fā)明專利]FLASH存儲裝置、擦除方法及編程方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410067931.3 | 申請日: | 2014-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN104882166A | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡洪;陳建梅 | 申請(專利權(quán))人: | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/14 | 分類號: | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;孟金喆 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | flash 存儲 裝置 擦除 方法 編程 | ||
1.一種FLASH存儲裝置,其特征在于,包括存儲陣列;所述存儲陣列包括數(shù)據(jù)存儲模塊和快表模塊;
所述數(shù)據(jù)存儲模塊包括m個(gè)子數(shù)據(jù)存儲模塊;
所述快表模塊包括m個(gè)子快表模塊,所述m個(gè)子快表模塊分別存儲所述m個(gè)子數(shù)據(jù)存儲模塊的擦除條件和/或編程條件;所述擦除條件或編程條件指施加于子數(shù)據(jù)存儲模塊,以使子數(shù)據(jù)存儲模塊中存儲單元閾值電壓變化的條件;
對存儲陣列中預(yù)擦除或預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊進(jìn)行擦除或編程時(shí),獲取與所述預(yù)擦除或預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊對應(yīng)的子快表模塊中存儲的擦除或編程條件,根據(jù)所述子快表模塊存儲的擦除或編程條件對所述預(yù)擦除或預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊進(jìn)行擦除操作或編程操作;
其中,m為正整數(shù),1≤m。
2.如權(quán)利要求1所述的FLASH存儲裝置,其特征在于,所述m個(gè)子快表模塊分別存儲有所述m個(gè)子數(shù)據(jù)存儲模塊的擦除條件;
擦除時(shí),獲取擦除指令中預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址;
根據(jù)所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址,獲取所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)子快表模塊中存儲的擦除條件;
根據(jù)所述擦除條件對預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊進(jìn)行擦除操作;以及;
擦除完成后,根據(jù)所述擦除操作更新所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)子快表模塊中的擦除條件。
3.如權(quán)利要求1所述的FLASH存儲裝置,其特征在于,所述m個(gè)子快表模塊分別存儲有所述m個(gè)子數(shù)據(jù)存儲模塊的編程條件;
編程時(shí),獲取編程指令中預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址;
根據(jù)所述編程除子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址,獲取所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)子快表模塊中存儲的編程條件;
根據(jù)所述編程條件對預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊進(jìn)行編程操作;以及;
編程完成后,根據(jù)所述編程操作更新所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)子快表模塊中的編程條件。
4.如權(quán)利要求1所述的FLASH存儲裝置,其特征在于,還包括:
位線選擇電路,所述位線選擇電路電連接于所述存儲陣列的數(shù)據(jù)存儲模塊中存儲單元的漏極;以選擇數(shù)據(jù)存儲模塊中的存儲單元;
字線驅(qū)動(dòng)電路,所述字線驅(qū)動(dòng)電路電連接于所述數(shù)據(jù)存儲模塊中存儲單元的控制柵極,以提供擦除或編程時(shí)數(shù)據(jù)存儲模塊中存儲單元所需電壓;
邏輯控制單元;提供所述FLASH存儲裝置工作時(shí)所需的邏輯控制。
5.如權(quán)利要求1所述的FLASH存儲裝置,其特征在于,所述m個(gè)子數(shù)據(jù)存儲模塊大小相同。
6.一種FLASH存儲裝置的擦除方法,應(yīng)用于權(quán)利要求1快表模塊中存儲有擦除條件的FLASH存儲裝置,其特征在于,包括:
FLASH存儲裝置接收擦除指令;
根據(jù)所述擦除指令,獲取預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址;
根據(jù)所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址,獲取與所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中存儲的擦除條件;
根據(jù)所述擦除條件對所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊進(jìn)行擦除操作。
7.如權(quán)利要求6所述的FLASH存儲裝置的擦除方法,其特征在于,還包括:當(dāng)擦除操作完成后,根據(jù)所述擦除操作更新所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中的擦除條件。
8.如權(quán)利要求7所述的FLASH存儲裝置的擦除方法,其特征在于,所述當(dāng)擦除操作完成后,根據(jù)所述擦除操作更新所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中的擦除條件;包括:
當(dāng)擦除操作完成后,根據(jù)所述擦除操作執(zhí)行的難易程度,更新所述預(yù)擦除子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中的擦除條件。
9.一種FLASH存儲裝置的編程方法,應(yīng)用于權(quán)利要求1快表模塊中存儲有編程條件的FLASH存儲裝置,其特征在于,包括:
FLASH存儲裝置接收編程指令;
根據(jù)所述編程指令,獲取預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址;
根據(jù)所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊的地址,獲取與所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中存儲的編程條件;
根據(jù)所述編程條件對所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊進(jìn)行編程操作。
10.如權(quán)利要求9所述的FLASH存儲裝置的編程方法,其特征在于,還包括:當(dāng)編程操作完成后,根據(jù)所述編程操作更新所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中的編程條件。
11.如權(quán)利要求10所述的FLASH存儲裝置的編程方法,其特征在于,所述當(dāng)編程操作完成后,根據(jù)所述編程操作更新所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中的編程條件;包括:
當(dāng)編程操作完成后,根據(jù)所述編程操作執(zhí)行的難易程度,更新所述預(yù)編程子數(shù)據(jù)存儲模塊所對應(yīng)的子快表模塊中的編程條件。
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