[發明專利]FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法

有效

• 申請號: 201410067925.8
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104882165B
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 胡洪;陳建梅
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;孟金喆

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法。所述FLASH芯片，包括：存儲陣列，存儲陣列包括m個子存儲陣列和冗余單元區域；m個子存儲陣列形成于同一阱區；冗余單元區域形成于相鄰兩個子存儲陣列之間；擦除時冗余單元區域中存儲單元的漏極懸空；m個子字線驅動電路，m個子字線驅動電路分別連接于m個子存儲陣列；每一子字線驅動電路對與其相連接的子存儲陣列提供驅動信號；位線選擇電路，位線選擇電路提供多根位線，連接于存儲陣列每列中子存儲陣列存儲單元的漏極，用于選擇子存儲陣列中存儲單元。本發明實施例提供的FLASH芯片提高了擦除性能，減少了FLASH芯片的擦除時間，進而提升了擦除效率。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種FLASH芯片及應用此FLASH芯片的擦除方法。

背景技術

現有技術中閃存（Flash Memory）擦除時，預擦除區域中存儲單元所在阱區及預擦除存儲單元的源極（S）施加正高壓，控制柵極（CG）施加負高壓，并懸空漏極（D）；以此，所施加的正高壓和負高壓在存儲單元的浮動柵極（FG）和源極之間形成電壓差，產生隧道效應，使得浮動柵極中電荷流向源極，進而改變存儲單元的閾值電壓，實現對預擦除存儲單元的擦除。同時，在擦除時，同一阱區中的非擦除區域的存儲單元，源極也施加相同的正高壓，控制柵極施加正低壓，并懸空漏極；以此，在非擦除區域存儲單元的控制柵極施加的正低壓和源極施加的正高壓不會使浮動柵極和源極之間產生隧道效應。

在控制柵極和源極產生電壓差的方式進行擦除時，雖對閃存中電介質要求較少，但這種方式會對同一阱區中非擦除區域存儲單元有較強的擦除干擾。擦除干擾是指擦除時，預擦除區域預擦除存儲單元控制柵極施加的正高壓和阱區所施加的正高壓對非擦除區域存儲單元閾值電壓產生的影響。例如，因在擦除時阱區施加了正高壓，同時因非擦除區域存儲單元控制柵極施加的是正低壓，會使得非擦除區域中存儲單元的控制柵極和阱區存在一個應力作用，引起非擦除區域存儲單元的浮動柵極中電荷的變化，進而改變非擦除區域中存儲單元的閾值電壓，影響存儲單元數據讀取時的正確性等。

為了消除擦除時擦除干擾的影響，現有技術中在擦除結束后需對非擦除區域中存儲單元進行一次擦除修復操作，即對非擦除區進行驗證和寫（編程），也即是通過驗證操作確定受擦除干擾影響的存儲單元，通過編程操作消除受擦除干擾影響存儲單元的閾值電壓變化，以消除擦除干擾所引起的非擦除區域中存儲單元的閾值電壓的變化。但現有技術中，為消除擦除干擾而進行的擦除修復操作，延長了擦除時間，增大了擦除操作的時間開銷，進而降低了擦除效率。

發明內容

本發明的目的在于提出一種FLASH芯片及應用此FLASH芯片的擦除方法，以提高擦除性能，進而提高FLASH芯片的擦除效率。

在第一方面，本發明實施例提供了一種FLASH芯片，包括：

存儲陣列，所述存儲陣列包括m個子存儲陣列和冗余單元區域；

所述m個子存儲陣列形成于同一阱區；

所述冗余單元區域形成于相鄰兩個子存儲陣列之間；擦除時，所述冗余單元區域中存儲單元的漏極懸空；

m個子字線驅動電路，所述m個子字線驅動電路分別連接于所述m個子存儲陣列；所述每一子字線驅動電路對與其相連接的子存儲陣列提供驅動信號；

位線選擇電路，所述位線選擇電路提供多根位線，連接于所述存儲陣列每列中子存儲陣列存儲單元的漏極，用于選擇子存儲陣列中存儲單元；

其中，m為正整數，2≤m。

進一步的，所述的FLASH芯片，所述FLASH芯片擦除時，所述FLASH芯片配置為：

懸空與存儲陣列相連接的位線，并施加一正高壓至所述阱區；

施加所述正高壓至存儲陣列的非擦除子存儲陣列中存儲單元的控制柵極和源極；