[發明專利]FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法

有效

• 申請號: 201410067925.8
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104882165B
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 胡洪;陳建梅
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;孟金喆

1.一種FLASH芯片，其特征在于，包括：

存儲陣列，所述存儲陣列包括m個子存儲陣列和冗余單元區域；

所述m個子存儲陣列形成于同一阱區；

所述冗余單元區域形成于相鄰兩個子存儲陣列之間；所述冗余單元區域中存儲單元的源極電連接于所述阱區；擦除時所述冗余單元區域中存儲單元的漏極懸空；

m個子字線驅動電路，所述m個子字線驅動電路分別連接于所述m個子存儲陣列；所述每一子字線驅動電路對與其相連接的子存儲陣列提供驅動信號；

位線選擇電路，所述位線選擇電路提供多根位線，連接于所述存儲陣列每列中子存儲陣列存儲單元的漏極，用于選擇子存儲陣列中存儲單元；

其中，m為正整數，2≤m。

2.如權利要求1所述的FLASH芯片，其特征在于，所述FLASH芯片擦除時，所述FLASH芯片配置為：

懸空與存儲陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區；

施加所述正高壓至存儲陣列的非擦除子存儲陣列中存儲單元的控制柵極和源極；

施加所述正高壓至冗余單元區域中存儲單元的源極，并施加一正低壓至冗余單元區域中存儲單元的控制柵極；

施加所述正低壓至擦除子存儲陣列的非擦除區域中存儲單元的控制柵極，并施加所述正高壓至所述擦除子存儲陣列的非擦除區域中存儲單元的源極；

施加一負高壓至擦除子存儲陣列的預擦除區域中存儲單元的控制柵極，并施加所述正高壓至所述擦除子存儲陣列的預擦除區域中存儲單元的源極；所述正高壓和所述負高壓的差值以使所述預擦除區域中存儲單元產生隧道效應，實現擦除。

3.如權利要求2所述的FLASH芯片，其特征在于，當FLASH芯片擦除完成后，執行：

對擦除子存儲陣列的非擦除區域進行擦除修復操作；所述擦除修復操作以修復擦除子存儲陣列中非擦除區域的存儲單元因擦除干擾造成的閾值電壓的變化。

4.如權利要求1或2所述的FLASH芯片，其特征在于，所述冗余單元區域包括一行存儲單元。

5.如權利要求1或2所述的FLASH芯片，其特征在于，所述阱區為P阱。

6.如權利要求1-3任一所述的FLASH芯片，其特征在于，還包括邏輯控制單元；

所述邏輯控制單元電連接于所述m個子字線驅動電路和所述位線選擇電路；以提供邏輯控制。

7.一種FLASH芯片擦除方法，應用于權利要求1所述的FLASH芯片，其特征在于，包括：

FLASH芯片接收擦除指令；

懸空與存儲陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區；

施加所述正高壓至存儲陣列的非擦除子陣列中存儲單元的控制柵極和源極；

施加所述正高壓至冗余單元區域中存儲單元的源極，并施加一正低壓至冗余單元區域中存儲單元的控制柵極；

施加所述正低壓至擦除子存儲陣列的非擦除區域中存儲單元的控制柵極，并施加所述正高壓至擦除子存儲陣列的非擦除區域中存儲單元的源極；

施加一負高壓至擦除子存儲陣列的預擦除區域中存儲單元的控制柵極，并施加所述正高壓至擦除子存儲陣列的預擦除區域中存儲單元的源極；所述正高壓和所述負高壓的差值以使所述預擦除區域中存儲單元產生隧道效應，實現擦除。

8.如權利要求7所述的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，還包括：

對擦除子存儲陣列的非擦除區域進行擦除修復操作；所述擦除修復操作以修復擦除子存儲陣列中非擦除區域的存儲單元因擦除干擾造成的閾值電壓的變化。