[發(fā)明專利]消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410067898.4
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104882163A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡洪;陳建梅
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;孟金喆

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中閃存（Flash?Memory）擦除時，預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元所在阱區(qū)及預(yù)擦除存儲單元的源極（S）施加正高壓，控制柵極（CG）施加負高壓，并懸空漏極（D）；以此，所施加的正高壓和負高壓在存儲單元的浮動?xùn)艠O（FG）和源極之間形成電壓差，產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使得浮動?xùn)艠O中電荷流向源極，進而改變存儲單元的閾值電壓，實現(xiàn)對預(yù)擦除存儲單元的擦除。同時，在擦除時，同一阱區(qū)中的非擦除區(qū)域的存儲單元，源極施加也施加相同的正高壓，控制柵極施加正低壓，并懸空漏極；以此，在非擦除區(qū)域存儲單元的控制柵極施加的正低壓和源極施加的正高壓不會使浮動?xùn)艠O和源極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)。

在控制柵極和源極產(chǎn)生電壓差的方式進行擦除時，雖對閃存中電介質(zhì)要求較少，但這種方式會對同一阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲單元有較強的擦除干擾。擦除干擾是指擦除時，預(yù)擦除區(qū)域預(yù)擦除存儲單元柵極施加的正高壓和阱區(qū)所述施加的正高壓對非擦除區(qū)域存儲單元閾值電壓產(chǎn)生的影響。例如，因在擦除時阱區(qū)施加了正高壓，同時因非擦除區(qū)域存儲單元控制柵極施加的是正低壓，會使得非擦除存儲單元的控制柵極和阱區(qū)存在一個應(yīng)力作用，引起非擦除區(qū)域中存儲單元浮動?xùn)艠O中電荷的變化，進而改變非擦除區(qū)域中存儲單元的閾值電壓，影響存儲單元數(shù)據(jù)的正確讀取等。

為了消除擦除時擦除干擾的影響，現(xiàn)有技術(shù)中在擦除結(jié)束后需對非擦除區(qū)域中存儲單元進行一次擦除修復(fù)操作，即對非擦除區(qū)域進行一次驗證和寫（編程），也即是通過驗證操作確定受擦除干擾影響的存儲單元，通過編程操作消除受擦除干擾影響存儲單元的閾值電壓變化，以消除擦除干擾所引起的非擦除區(qū)域中存儲單元的閾值電壓的變化。但現(xiàn)有技術(shù)中，為消除擦除干擾而進行的擦除修復(fù)操作，延長了擦除時間，增大了擦除的時間開銷，進而降低了擦除效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于提出一種消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，以提升擦除效率。

本發(fā)明實施例提供的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，包括：

FLASH芯片接收擦除指令；

施加一正高壓至所述阱區(qū)；

施加所述正高壓至阱區(qū)中非擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極和源極，并懸空所述非擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；

施加所述正高壓至阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，懸空所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；所述正高壓和所述負高壓使所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實現(xiàn)擦除。

進一步的，所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，所述存儲陣列中同一阱區(qū)的存儲單元劃分為至少兩個子存儲陣列；

所述阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域為預(yù)擦除子存儲陣列；以及

所述阱區(qū)中非擦除區(qū)域中為阱區(qū)中非擦除子存儲陣列。

進一步的，所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，所述預(yù)擦除區(qū)域為一個預(yù)擦除子存儲陣列。

進一步的，所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，所述施加所述正高壓至阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲單元的控制柵極和源極，并懸空所述非擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；包括：

施加所述正高壓至阱區(qū)中非擦除區(qū)域中第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)存儲單元的控制柵極和源極，并懸空第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)存儲單元的漏極

進一步的，所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，所述施加所述正高壓至阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，懸空所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；包括：

施加所述正高壓至阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域中全部存儲單元的源極，并施加一負高壓至控制柵極，懸空阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域中全部存儲單元的漏極。

進一步的，所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，所述施加所述正高壓至阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，懸空所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元的漏極；包括：

施加所述正高壓至阱區(qū)中預(yù)擦除區(qū)域中第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)存儲單元的源極，并施加一負高壓至控制柵極，懸空第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)存儲單元的漏極。

進一步的，所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，所述阱區(qū)為P阱。