[發明專利]消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法在審
| 申請號： | 201410067898.4 | 申請日： | 2014-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN104882163A | 公開（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發明（設計）人： | 胡洪;陳建梅 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 消除 擦除 干擾 flash 芯片 方法 | ||
1.一種消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，應用于FLASH芯片存儲陣列中形成于同一阱區中的存儲單元，其特征在于，包括：
FLASH芯片接收擦除指令；
施加一正高壓至所述阱區；
施加所述正高壓至阱區中非擦除區域中存儲單元的控制柵極和源極，并懸空所述非擦除區域中存儲單元的漏極；
施加所述正高壓至阱區中預擦除區域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預擦除區域中存儲單元的控制柵極，懸空所述預擦除區域中存儲單元的漏極；所述正高壓和所述負高壓使所述預擦除區域中存儲單元產生隧道效應，實現擦除。
2.如權利要求1所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，所述存儲陣列中同一阱區中的存儲單元劃分為至少兩個子存儲陣列；
所述阱區中預擦除區域為預擦除子存儲陣列；以及
所述阱區中非擦除區域中為阱區中非擦除子存儲陣列。
3.如權利要求2所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，所述預擦除區域為一個預擦除子存儲陣列。
4.如權利要求1所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，所述施加所述正高壓至阱區中非擦除區域存儲單元的控制柵極和源極，并懸空所述非擦除區域中存儲單元的漏極；包括：
施加所述正高壓至阱區中非擦除區域中第一預設范圍內存儲單元的控制柵極和源極，并懸空第一預設范圍內存儲單元的漏極。
5.如權利要求1所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，所述施加所述正高壓至阱區中預擦除區域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預擦除區域中存儲單元的控制柵極，懸空所述預擦除區域中存儲單元的漏極；包括：
施加所述正高壓至阱區中預擦除區域中全部存儲單元的源極，并施加一負高壓至控制柵極，懸空阱區中預擦除區域中全部存儲單元的漏極。
6.如權利要求1所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，所述施加所述正高壓至阱區中預擦除區域中存儲單元的源極，并施加一負高壓至所述預擦除區域中存儲單元的控制柵極，懸空所述預擦除區域中存儲單元的漏極；包括：
施加所述正高壓至阱區中預擦除區域中第二預設范圍內存儲單元的源極，并施加一負高壓至控制柵極，懸空第二預設范圍內存儲單元的漏極。
7.如權利要求1-6任一所述的消除擦除干擾的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，所述阱區為P阱。
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