[發明專利]選區SiGeSn層及其形成方法在審
| 申請號： | 201410064527.0 | 申請日： | 2014-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN103839789A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 肖磊;王敬;趙梅;梁仁榮;許軍 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L21/266 | 分類號： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 選區 sigesn 及其 形成 方法 | ||
1.一種選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供頂部具有SiGe層的襯底；
在所述SiGe層表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成開口；
向所述SiGe層表層注入含有Sn元素的原子、分子、離子或等離子體，以在開口位置形成SiGeSn層。
2.如權利要求1所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括離子注入。
3.如權利要求2所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述離子注入包括等離子體源離子注入和等離子體浸沒離子注入。
4.如權利要求1所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控濺射。
5.如權利要求4所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控濺射注入的過程中，在所述襯底上加載負偏壓。
6.如權利要求4或5所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，還包括，去除所述磁控濺射在所述SiGeSn層之上形成的Sn薄膜。
7.如權利要求6所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，利用對SiGeSn和Sn具有高腐蝕選擇比的溶液清洗以去除所述Sn薄膜。
8.如權利要求1所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述注入的過程中對所述襯底加熱，加熱溫度為100-600℃。
9.如權利要求1所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，還包括，在所述注入之后，對所述SiGeSn層退火，退火溫度為100-600℃。
10.如權利要求1所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述SiGeSn層為應變SiGeSn層。
11.如權利要求10所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述應變SiGeSn層的厚度為0.5-100nm。
12.如權利要求10所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述應變SiGeSn層中Sn的原子百分含量小于20%。
13.如權利要求1-12任一項所述的選區SiGeSn層的形成方法，其特征在于，所述頂部具有SiGe層的襯底包括：絕緣體上SiGe襯底、表層為SiGe薄膜的Si襯底或Ge襯底。
14.一種選區SiGeSn層，其特征在于，通過如權利要求1-13任一項所述的方法形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
