[發(fā)明專利]一種晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410064021.X
• 申請(qǐng)日: 2014-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN104425397B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖宗仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所11313
• 代理人: 孟銳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，更具體地說(shuō)，涉及一種晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)。?

技術(shù)背景

目前的硅中介層主要為運(yùn)用硅穿孔(TSV)技術(shù)及銅電鍍制程來(lái)形成導(dǎo)通硅中介層的上層與硅中介層的下層的介面。由于硅穿孔(TSV)技術(shù)所形成的孔徑較小，因此銅電鍍制程很難于硅穿孔中形成導(dǎo)通的電路。此外，銅電鍍制程完成后，還需要將硅中介層進(jìn)行研磨而促進(jìn)硅中介層的上層與硅中介層的下層間的電性導(dǎo)通，因此良率不高。且銅電鍍制程中，電鍍藥水及機(jī)臺(tái)均需重新調(diào)配及設(shè)計(jì)，而使整體成本升高。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，其方法包含下列步驟：?

提供一第一晶圓，其包含一表面，其中一介電層及一第一導(dǎo)電柱于該表面上，且該第一導(dǎo)電柱穿透該介電層；?

切割該第一晶圓而形成一第一晶片；?

形成一貫穿孔于一中介層，其中該中介層的厚度不大于該第一導(dǎo)電柱的長(zhǎng)度；?

設(shè)置該第一導(dǎo)電柱于該貫穿孔；?

覆蓋一封裝層于該第一晶片及部份的中介層(30)上；?

涂布一第一電絕緣層于該中介層的一表面上；?

沉積一線路重布層于該第一電絕緣層上，其中該線路重布層電性連接該第一導(dǎo)電柱；以及?

設(shè)置一錫球于該線路重布層上，進(jìn)而完成晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。?

本公開提供一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)包含一第一晶片、一中介層、一封裝層、一第一電絕緣層、一線路重布層及一錫球。第一晶片包含一表面，其中一介電層及一第一導(dǎo)電柱設(shè)置于該表面上，且該第一導(dǎo)電柱穿透該介電層。中介層具有至少一貫穿孔，其中該中介層的厚度不大于該第一導(dǎo)電柱的長(zhǎng)度。該第一晶片設(shè)置于該中介層上，使該第一導(dǎo)電柱設(shè)置于該貫穿孔中。封裝層覆蓋于該第一晶片及部份的中介層上。第一電絕緣層設(shè)置于該中介層的一表面上。線路重布層設(shè)置于該第一電絕緣層上，其中該線路重布層電性連接該第一導(dǎo)電柱以及錫球連接于該線路重布層上。?

本發(fā)明的其他目的，部分將在后續(xù)說(shuō)明中陳述，而部分可由內(nèi)容說(shuō)明中輕易得知，或可由本發(fā)明的實(shí)施而得知。本發(fā)明的各方面將可利用后附的權(quán)利要求書中所特別指出的元件及組合而理解并達(dá)成。需了解，先述的一般說(shuō)明及下列詳細(xì)說(shuō)明均僅作舉例之用，并非用以限制本發(fā)明。?

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述并配合下列附圖，其中類似的元件符號(hào)代表類似的元件。然以下實(shí)施例中所述，僅用以說(shuō)明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。?

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一晶圓的示意圖；?

圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一晶圓切割后所形成的第一晶片的示意圖；?

圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第二晶圓的示意圖；?

圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第二晶圓切割后所形成的第二晶片的示意圖；?

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成貫穿孔于中介層的示意圖；?

圖6為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一晶片及第二晶片設(shè)置于中介層上的示意圖；?

圖7為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的覆蓋封裝層于中介層上的示意圖；?

圖8為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的涂布第一電絕緣層于中介層上的示意圖；?

圖9為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的沉積線路重布層于電絕緣層上的示意圖；?

圖10為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的涂布第二電絕緣層于中介層上的示意圖；以及?

圖11為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的設(shè)置錫球于線路重布層上的示意圖。?

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)包含下列所述的各個(gè)附圖的步驟，然而并不限于此，亦可因應(yīng)不同的設(shè)計(jì)而省略或修正特定步驟。?

如圖1所示，提供一第一晶圓10。第一晶圓10包含一表面11。至少一第一導(dǎo)電柱14形成于晶圓10表面11上。此外，一介電層13形成于表面11，但不覆蓋第一導(dǎo)電柱14。換言之，第一導(dǎo)電柱14穿透介電層13。如圖1所示，至少一第一導(dǎo)電柱14設(shè)置于表面11上。在此說(shuō)明書及權(quán)利要求書中的名詞“上”包含第一物件直接或間接地?設(shè)置于第二物件的上方。例如，至少一第一導(dǎo)電柱14設(shè)置于表面11上就包含，第一導(dǎo)電柱14“直接”設(shè)置于表面11上及第一導(dǎo)電柱14“間接”設(shè)置于表面11上，兩種意義。此處的“間接”是指兩個(gè)物件在某一方位的垂直方向中具有上與下的關(guān)系，且兩者中間仍有其他物體、物質(zhì)或間隔將兩者隔開。?