[發明專利]一種晶圓級封裝方法及封裝結構

有效

• 申請號: 201410064021.X
• 申請日: 2014-02-25
• 公開（公告）號: CN104425397B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 廖宗仁
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所11313
• 代理人: 孟銳

1.一種晶圓級封裝方法，包含：

提供一第一晶圓，其包含一表面，其中一介電層及一第一導電柱于該表面上，且該第一導電柱穿透該介電層；

切割該第一晶圓而形成一第一晶片；

形成一貫穿孔于一中介層，其中該中介層的厚度不大于該第一導電柱的長度；

設置該第一導電柱于該貫穿孔；

覆蓋一封裝層于該第一晶片及部份的中介層上；

涂布一第一電絕緣層于該中介層的一表面上；

形成一線路重布層于該第一電絕緣層上，其中該線路重布層電性連接該第一導電柱；以及

設置一錫球于該線路重布層上。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，進一步包含步驟：涂布一第二電絕緣層于該線路重布層及該第一電絕緣層上。

3.根據權利要求1所述的封裝方法，其中該貫穿孔形成步驟包含對齊該貫穿孔于該第一導電柱的步驟。

4.根據權利要求1所述的封裝方法，進一步包含步驟：

提供一第二晶圓，其包含一上表面，其中一電隔離層及一第二導電柱于該上表面上，且該第二導電柱穿透該電隔離層。

5.根據權利要求4所述的封裝方法，進一步包含步驟：切割該第二晶圓而形成一第二晶片。

6.根據權利要求5所述的封裝方法，其中該第一晶圓包含一底面，而該第二晶圓包含一下表面，于封裝層覆蓋步驟中另包含覆蓋該封裝層于該底面及該下表面上的步驟。

7.根據權利要求6所述的封裝方法，其中該介電層的厚度等于該電隔離層的厚度。

8.根據權利要求4所述的封裝方法，進一步包含步驟：設置該電隔離層及該介電層于該中介層的另一面上。

9.根據權利要求4所述的封裝方法，進一步包含步驟：設置該第二導電柱于該貫穿孔。

10.根據權利要求5所述的封裝方法，進一步包含步驟：覆蓋一封裝層于該第二晶片及部份的中介層上。

11.根據權利要求4所述的封裝方法，其中該線路重布層形成步驟包含電性連接該線路重布層于該第二導電柱的步驟。

12.一種晶圓級封裝結構，包含：

一第一晶片，包含一表面，其中一介電層及一第一導電柱設置于該表面上，且該第一導電柱穿透該介電層；

一中介層具有至少一貫穿孔，其中該中介層的厚度不大于該第一導電柱的長度；

該第一晶片設置于該中介層上，使該第一導電柱設置于該貫穿孔中；

一封裝層覆蓋于該第一晶片及部份的中介層上；

一第一電絕緣層設置于該中介層的一表面上；

一線路重布層設置于該第一電絕緣層上，其中該線路重布層電性連接該第一導電柱；以及

一錫球連接于該線路重布層上。