[發(fā)明專利]吸附劑、吸附劑的制造方法、水處理系統(tǒng)及水處理罐

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410063135.2
• 申請日: 2014-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN104226254A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木昭子;辻秀之
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): B01J20/22
• 分類號(hào): B01J20/22;B01J20/30;C02F1/28
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 王永紅

1.吸附劑，其是在表面具備具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體的無機(jī)多孔質(zhì)體，

在紅外吸收光譜的1375cm^-1以上1400cm^-1以下附近觀測到的源自所述配體的峰的半峰全寬為5cm^-1以上50cm^-1以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述配體具有乙二胺結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述配體在吸附劑中含有4wt％以上30wt％以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述無機(jī)多孔質(zhì)體的粒徑為30μm～400μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述無機(jī)多孔質(zhì)體的細(xì)孔徑為3.0nm～9.0nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述無機(jī)多孔質(zhì)體為硅膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的吸附劑，其中，在半徑的球體狀區(qū)域內(nèi)存在所述配體配對的四個(gè)氮。

8.吸附劑的制造方法，其具有：

使金屬離子與具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑的螯合物配位鍵合的工序、

將配位鍵合了所述金屬離子的硅烷偶聯(lián)劑向硅膠表面進(jìn)行修飾的工序、以及

將所述配位鍵合的金屬離子從所述被修飾的載體去除的工序。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的吸附劑的制造方法，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑相對于所述金屬離子為1.5摩爾當(dāng)量以上2.3摩爾當(dāng)量的比率，

通過將所述硅烷偶聯(lián)劑和所述金屬離子的鹽進(jìn)行混合而形成配位鍵合。

10.水處理系統(tǒng)，其具有：

吸附裝置，具備吸附劑，所述吸附劑是在表面具備具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體的無機(jī)多孔質(zhì)體，在紅外吸收光譜的1375cm^-1以上1400cm^-1以下附近觀測到的源自所述配體的峰的半峰全寬為5cm^-1以上50cm^-1以下；

供應(yīng)裝置，向吸附裝置供應(yīng)含有金屬離子的被處理介質(zhì)；

排出裝置，從所述吸附裝置排出所述被處理介質(zhì)；

測定裝置，設(shè)于所述吸附裝置的供應(yīng)側(cè)或排出側(cè)的至少一方的，用于測定所述被處理介質(zhì)中的金屬離子的含量；以及

控制裝置，在基于來自所述測定裝置的信息而求得的值達(dá)到事先設(shè)定的值時(shí)，用于減少從所述供應(yīng)裝置向吸附裝置供應(yīng)的被處理介質(zhì)的供應(yīng)量。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述配體具有乙二胺結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述配體在吸附劑中含有4wt％以上30wt％以下。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述無機(jī)多孔質(zhì)體的粒徑為30μm～400μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述無機(jī)多孔質(zhì)體的細(xì)孔徑為3.0nm～9.0nm。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述無機(jī)多孔質(zhì)體為硅膠。

16.根據(jù)權(quán)利要求10～15中任一項(xiàng)所述的水處理系統(tǒng)，其中，在半徑的球體狀區(qū)域內(nèi)存在所述配體配對的四個(gè)氮。

17.水處理用罐，其具備吸附劑，所述吸附劑是在表面具備具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體的無機(jī)多孔質(zhì)體，在紅外吸收光譜的1375cm^-1以上1400cm^-1以下附近觀測到的源自所述配體的峰的半峰全寬為5cm^-1以上50cm^-1以下。