[發明專利]半導體封裝結構的形成方法

有效

• 申請號: 201410061904.5
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN103887187B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 夏鑫;丁萬春;高國華
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體芯片，所述芯片的表面設有焊盤和鈍化層，所述鈍化層設有裸露所述焊盤的第一開口；

在芯片的焊盤和鈍化層上依次形成耐熱金屬層和金屬浸潤層；

在金屬浸潤層上形成光刻膠，所述光刻膠設有曝露出芯片焊盤上方金屬浸潤層的第二開口，所述第二開口小于所述第一開口；

在第二開口中的金屬浸潤層上依次形成附著層和阻擋層；

在阻擋層上形成焊料；

去除光刻膠；

蝕刻鈍化層上的耐熱金屬層和金屬浸潤層至鈍化層裸露；

回流焊料，形成柱狀凸點；其中，所述焊料的厚度是35～70μm；

提供L型引線框架，所述L型引線框架設有若干分立的引腳，內引腳和外引腳設于引腳的相對兩面；

將形成有柱狀凸點的芯片倒裝于引線框架上，所述柱狀凸點與所述內引腳電連接，所述外引腳沿遠離所述柱狀凸點的方向延伸；

通過注塑形成密封所述芯片、柱狀凸點和引線框架，并裸露出所述外引腳的塑封層，其中，填充所述塑封層時，所述若干分立的引腳間的開口與所述芯片之間的空間以及所述芯片與所述內引腳之間的空間是相通的，所述塑封層包圍所述芯片，并填充滿所述若干分立的引腳間的開口及所述芯片和所述內引腳之間的區域。

2.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述耐熱金屬層的材料是鈦、鉻、鉭或它們的組合。

3.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述金屬浸潤層的材料是銅、鋁、鎳或它們的組合。

4.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述附著層的材料是銅。

5.根據權利要求4所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述銅附著層的厚度是5～50μm。

6.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料是鎳。

7.根據權利要求6所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述鎳阻擋層的厚度是1.5～3μm。

8.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述焊料的材質是純錫或錫合金。

9.根據權利要求8所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述焊料的厚度是5～70μm。