[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410061291.5
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN104425581B
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 原琢磨;中村和敏;小倉常雄
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具備：

第1電極及第2電極；

第1導電型的第1半導體層，位于上述第1電極與上述第2電極之間，在上述第1電極側具有第1面，在上述第2電極側具有對置于上述第1面的第2面；

第2導電型的第2半導體層，形成在上述第1半導體層的上述第1面上，并且位于上述第1電極與上述第1半導體層之間；

多個控制電極，隔著絕緣膜形成在上述第1半導體層及第2半導體層上，在平行于上述第1面的第1方向上延伸；

多個上述第1導電型的第3半導體層及多個上述第2導電型的第4半導體層，在上述第2半導體層的與上述第1半導體層相反的一側，沿著上述第1方向交替地形成，并且位于上述第1電極與上述第2半導體層之間；以及

多個上述第1導電型的第5半導體層，在上述第2半導體層的上述第1半導體層側、或被上述第2半導體層包圍的位置上形成，

上述第5半導體層沿著上述第1方向相互離開而配置，

上述第5半導體層設置在上述第1半導體層的在與上述第1面垂直的第2方向上、與上述第3半導體層重疊的位置上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第5半導體層之間的間隙設置在上述第1半導體層的在與上述第1面垂直的第2方向上、與上述第4半導體層重疊的位置上。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第5半導體層內的上述第1導電型的雜質的有效的雜質濃度的峰值比上述第3半導體層內的上述第1導電型的雜質的有效的雜質濃度的峰值低。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第5半導體層內的上述第1導電型的雜質的有效的雜質濃度的峰值比上述第1半導體層內的上述第1導電型的雜質的有效的雜質濃度的峰值高。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述第1方向上鄰接的上述第5半導體層之間的間距是與在上述第1方向上鄰接的上述第3半導體層之間的間距相同的間距。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述控制電極的上端與上述第5半導體層的下端的距離比上述控制電極的上端與上述絕緣膜的下端的距離短。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述控制電極的上端與上述第5半導體層的下端的距離比上述控制電極的上端與上述絕緣膜的下端的距離長。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

上述控制電極的上端與上述第5半導體層的上端的距離比上述控制電極的上端與上述絕緣膜的下端的距離短。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第5半導體層的上述第1方向的寬度比上述第3半導體層的上述第1方向的寬度短。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第5半導體層的上述第1方向的寬度比上述第3半導體層的上述第1方向的寬度長。