[發明專利]一種用于白光LED的Tb3 +/Sm3 +摻雜LiLuF4單晶體及其制備方法

有效

• 申請號: 201410060680.6
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN103820855B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 夏海平;符立;董艷明;李珊珊;王冬杰;張約品
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于白光LED的Tb³⁺/Sm³⁺摻雜LiLuF₄單晶體及其制備方法，其特征在于該Tb³⁺/Sm³⁺摻雜氟化镥鋰單晶體的化學式為LiLu_d-x-y)Tb_xSm_yF₄，其中x與y分別為Tb與Sm置換Lu的摩爾比，0.015＜x+y＜0.050，x∶y＝1∶1.6～1∶2.1。?

2.根據權利要求1，其特征在于采用的紫外激發源必須滿足現有的紫外LED芯片的波長的激發范圍，即在360～400nm波長范圍激發。?

3.權利要求1所述的一種用于白光LED的Tb³⁺/Sm³⁺摻雜氟化镥鋰單晶體的制備方法，其特征在于步驟如下：?

1)、將LiF、LuF₃、TbF₃、SmF₃原料按摩爾百分比51.5∶38.0～46.0∶0.6～2.1∶1.7～8.0混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；?

2)、將上述混合料置于舟形鉑金坩鍋中，再安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后先用N₂氣排除鉑金管道中的空氣，再在溫度760～815℃，通HF氣下，反應處理1～5小時，反應處理結束，關閉HF氣體與管式電阻爐，用N₂氣清洗管道中殘留的HF氣體，得到多晶粉料；?

3)、將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實，密封Pt坩堝；?

4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數為：爐體溫度為920～980℃，接種溫度為830～850℃，固液界面的溫度梯度為20～80℃/cm，驅動機械裝置開始下降坩鍋進行晶體生長，晶體生長速度為0.2～1.5mm/h，晶體生長結束后，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Tb³⁺/Sm³⁺摻雜LiLuF₄單晶體。?

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于步驟1)中所述的LiF、LuF₃、TbF₃和SmF₃的純度均大于99.99％。?