[發明專利]離子注入段問題機臺的判定方法

有效

• 申請號: 201410060668.5
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN103839849A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 何理;許向輝;郭賢權;陳超
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種離子注入段問題機臺的判定方法。

背景技術

隨著半導體制造技術不斷的發展，其生產工藝流程也越來越復雜。為了讓產品有更多的功能，需要在芯片上集成更多的各種微電子器件，根據不同要求需要通過大量的離子注入工藝來調整器件的電性參數，以滿足不同的運算要求。

目前，業界對于離子注入工藝的檢測普遍存在良率抽檢比例有限，抽檢產品向重要站點傾斜的趨勢。這會造成很長段的離子注入工藝不能夠在每一個站點均可進行缺陷檢測。生產中時常出現嚴重的缺陷事件而不能快速的確定問題機臺的情況，勢必使得離子注入段的缺陷情況對后續工藝帶來嚴重影響，給生產帶來重大損失。

故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業多年的經驗，積極研究改良，于是有了本發明一種離子注入段問題機臺的判定方法。

發明內容

本發明是針對現有技術中，傳統的離子注入工藝生產中時常出現嚴重的缺陷事件而不能快速的確定問題機臺的情況，勢必使得離子注入段的缺陷情況對后續工藝帶來嚴重影響，給生產帶來重大損失等缺陷提供一種離子注入段問題機臺的判定方法。

為了解決上述問題，本發明提供一種離子注入段問題機臺的判定方法，所述方法包括：

執行步驟S1：針對生產工藝中不同制程工序，以及在所述制程工序中進行不同離子注入的物質成分建立數據庫；

執行步驟S2：在檢測出顆粒缺陷時，測定所述顆粒成分，獲得所述缺陷元素類型；

執行步驟S3：根據所述缺陷元素類型和制程工序，比照數據庫，當所述缺陷元素類型與所述制程工序對應時，判定所述制程工序之離子注入機為離子注入段問題機臺。

可選地，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型輕摻雜漏極注入，采用BF2注入；以及P型輕摻雜漏極注入，采用C注入。

可選地，所述顆粒成分通過能量色散X射線光譜儀（EDX）測定。

綜上所述，本發明離子注入段問題機臺的判定方法在當離子注入工藝發生缺陷問題，良率掃描又沒有前值的時候，可以有效縮短懷疑區間，幫助工程師快速的鎖定問題機臺，從而減少出現缺陷情況后導致的質量受影響產品數量，節約成本。

附圖說明

圖1所示為本發明一種離子注入段問題機臺的判定方法之流程圖；

圖2所示為生產工藝中不同制程工序及不同離子注入的物質成分數據庫；

圖3所示為離子注入段產生缺陷示意圖。

具體實施方式

為詳細說明本發明創造的技術內容、構造特征、所達成目的及功效，下面將結合實施例并配合附圖予以詳細說明。

請參閱圖1，圖1所示為本發明一種離子注入段問題機臺的判定方法之流程圖。所述離子注入段問題機臺的判定方法包括以下步驟，

執行步驟S1：針對生產工藝中不同制程工序，以及在所述制程工序中進行不同離子注入的物質成分建立數據庫；

執行步驟S2：在檢測出顆粒缺陷時，測定所述顆粒成分，獲得所述缺陷元素類型；其中，所述顆粒成分通過能量色散X射線光譜儀（EDX）測定。

執行步驟S3：根據所述缺陷元素類型和制程工序，比照數據庫，當所述缺陷元素類型與所述制程工序對應時，判定所述制程工序之離子注入機為離子注入段問題機臺。

為更直觀的闡述本發明之技術方案，凸顯本發明之有益效果，現以具體的實施方式為例進行闡述。在具體實施方式中，所述缺陷元素類型、所述制程工序僅為列舉，不應視為對本發明專利技術方案的限制。

請參閱圖2、圖3，圖2所示為生產工藝中不同制程工序及不同離子注入的物質成分之數據庫。圖3所示為離子注入段產生缺陷示意圖。所述離子注入段問題機臺的判定方法包括以下步驟，

執行步驟S1：針對生產工藝中不同制程工序，以及在所述制程工序中進行不同離子注入的物質成分建立數據庫1；

作為具體的實施方式，非限制性地，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型輕摻雜漏極注入，采用BF2注入；以及P型輕摻雜漏極注入，采用C注入等。

執行步驟S2：在檢測出顆粒2缺陷時，測定所述顆粒2的成分，獲得所述缺陷元素類型；

執行步驟S3：根據所述缺陷元素類型和制程工序，比照數據庫1，當所述缺陷元素類型與所述制程工序對應時，判定所述制程工序離子注入機臺為離子注入段問題機臺。