[發明專利]離子注入段問題機臺的判定方法有效
| 申請號： | 201410060668.5 | 申請日： | 2014-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN103839849A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 何理;許向輝;郭賢權;陳超 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 問題 機臺 判定 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種離子注入段問題機臺的判定方法，其特征在于，所述方法包括：
執行步驟S1：針對生產工藝中不同制程工序，以及在所述制程工序中進行不同離子注入的物質成分建立數據庫；
執行步驟S2：在檢測出顆粒缺陷時，測定所述顆粒成分，獲得所述缺陷元素類型；
執行步驟S3：根據所述缺陷元素類型和制程工序，比照數據庫，當所述缺陷元素類型與所述制程工序對應時，判定所述制程工序之離子注入機為離子注入段問題機臺。
2.如權利要求1所述的離子注入段問題機臺的判定方法，其特征在于，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型輕摻雜漏極注入，采用BF2注入；以及P型輕摻雜漏極注入，采用C注入。
3.如權利要求1所述的離子注入段問題機臺的判定方法，其特征在于，所述顆粒成分通過能量色散X射線光譜儀（EDX）測定。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
