[發(fā)明專(zhuān)利]一種檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410060317.4
• 申請(qǐng)日: 2014-02-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103943608A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹巍;周柯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/544
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/544;G01N27/92;G01N27/00
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括高壓測(cè)試焊盤(pán)、低壓測(cè)試焊盤(pán)、金屬線(xiàn)和多晶硅組排；

所述多晶硅組排包括若干縱向平行排列的多晶硅和若干橫向平行排列的多晶硅，部分所述若干橫向平行排列的多晶硅通過(guò)一第一金屬線(xiàn)與所述低壓測(cè)試焊盤(pán)連接，其余所述若干橫向平行排列的多晶硅通過(guò)一第二金屬線(xiàn)與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接；部分所述若干縱向平行排列的多晶硅通過(guò)所述第一金屬線(xiàn)與所述低壓測(cè)試焊盤(pán)連接，其余所述若干縱向平行排列的多晶硅通過(guò)所述第二金屬線(xiàn)與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接；

其中，在所述若干縱向平行排列的多晶硅中，與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅和與所述低壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅之間為間隔分布；在若干橫向平行排列的多晶硅中，與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅和與所述低壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅之間為間隔分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述若干縱向平行排列的多晶硅中，與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅和與所述低壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅長(zhǎng)度和寬度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述若干橫向平行排列的多晶硅中，與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅和與所述低壓測(cè)試焊盤(pán)連接的多晶硅長(zhǎng)度和寬度相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述若干縱向平行排列的多晶硅中，與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接的任意一個(gè)多晶硅和與其相鄰的兩個(gè)連接于所述低壓測(cè)試焊盤(pán)的多晶硅之間的距離相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述若干橫向平行排列的多晶硅中，與所述高壓測(cè)試焊盤(pán)連接的任意一個(gè)多晶硅和與其相鄰的兩個(gè)連接于所述低壓測(cè)試焊盤(pán)的多晶硅之間的距離相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述若干橫向平行排列的多晶硅中，連接于所述低壓測(cè)試焊盤(pán)的多晶硅和連接于所述高壓測(cè)試焊盤(pán)的多晶硅數(shù)量相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅殘留的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述若干縱向平行排列的多晶硅中，連接于所述低壓測(cè)試焊盤(pán)的多晶硅和連接于所述高壓測(cè)試焊盤(pán)的多晶硅數(shù)量相等。