[發(fā)明專利]一種FINFET結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410060243.4
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN103871899B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁弋;陳錕;朱也方;李芳;王從剛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所31272
• 代理人: 吳俊

1.一種FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，提供待研磨晶圓，所述晶圓的STI區(qū)域由底部至頂部依次設(shè)有緩沖墊氧化層、氮化硅和氧化物，所述晶圓的其他區(qū)域由底部至頂部依次設(shè)有緩沖墊氧化層和氧化物層，位于STI區(qū)域的緩沖墊氧化層的頂部高于其他區(qū)域中的緩沖墊氧化層的頂部；

步驟2，研磨掉氮化硅上的氧化物；

步驟3，繼續(xù)研磨一定量的氧化物層和氮化硅；

步驟4，濕法刻蝕去除氮化硅；

步驟5，濕法刻蝕去除部分氧化物層，使位于STI區(qū)域的緩沖墊氧化層高于位于晶圓的其他區(qū)域的剩余的氧化物層，以形成鰭狀結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟2包括：

步驟2.1，采用固定研磨時(shí)間對氧化物研磨；

步驟2.2，采用高選擇比研磨液對氧化物進(jìn)行研磨。

3.如權(quán)利要求2所述的FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟3中通過低選擇比研磨液對氧化物層和氮化硅進(jìn)行研磨，以減薄氮化硅的厚度。

4.如權(quán)利要求3所述的FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟3中的繼續(xù)研磨氧化物層和氮化硅的量為

5.如權(quán)利要求4所述的FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟4中通過磷酸去除氮化硅。

6.如權(quán)利要求1中所述的FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟1中的緩沖墊氧化層通過原子層沉積法形成。

7.如權(quán)利要求1所述的FINFET的鰭狀結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟1中的緩沖墊氧化層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成。