[發(fā)明專利]用于制作半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410060022.7
• 申請(qǐng)日: 2014-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN104008980B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·貝爾;T·基爾格;D·邁爾;U·瓦赫特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種用于制作半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供多個(gè)第一半導(dǎo)體芯片，所述多個(gè)第一半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)第一半導(dǎo)體芯片包括第一主面以及與所述第一主面相對(duì)的第二主面；

在所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第二主面之上施加第一包封層；

在所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一主面之上施加電布線層；

在所述電布線層之上施加垂直金屬條，所述垂直金屬條電連接至所述電布線層；

在所述電布線層之上施加第二包封層，使得所述第二包封層的上表面與所述垂直金屬條的上表面齊平；

減小所述第一包封層的厚度以及所述第一半導(dǎo)體芯片的厚度；

在所述第二包封層之上施加電氣器件，所述電氣器件與所述垂直金屬條電連接；以及

單片化以獲得多個(gè)半導(dǎo)體器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵極雙極晶體管、邏輯電路、傳感器或無(wú)源部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體芯片的厚度減小至在從5μm至150μm的范圍內(nèi)的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一包封層包括絕緣材料、模塑材料、聚合物材料、樹脂材料、陶瓷材料和玻璃材料中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一包封層包括聚酰亞胺材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

提供多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片；以及

在所述電布線層之上施加所述多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片，使得所述多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)第二半導(dǎo)體芯片電連接至所述第一半導(dǎo)體芯片中的相應(yīng)第一半導(dǎo)體芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片中的第二半導(dǎo)體芯片包括集成電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電氣器件被配置作為表面安裝器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電氣器件包括電阻器、電感器、線圈或電容器。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電氣器件包括天線。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一包封層包括環(huán)氧樹脂材料和硅樹脂材料中的一種或多種。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片中的第二半導(dǎo)體芯片包括邏輯電路。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片中的第二半導(dǎo)體芯片包括控制電路。