[發明專利]制造有機發光顯示設備的方法有效
| 申請號: | 201410059747.4 | 申請日: | 2014-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN104347665B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 崔宰赫;樸鎮宇;李雄洙;崔修赫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛義丹;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 有機 發光 顯示 設備 方法 | ||
本發明提供一種制造有機發光顯示設備的方法,所述制造有機發光顯示設備的方法包括:設置低熔點玻璃(LMG)薄膜以覆蓋設置在基板上的顯示單元;將能束輻射到LMG薄膜上。因此,可快速形成具有優異密封性能的封裝層,并因此可提高制造工藝的效率和產品的可靠性。
本申請要求于2013年7月25日提交的第10-2013-0088272號韓國專利申請的優先權和權益,出于各種目的通過引用包含于此,如同在此充分闡述一樣。
技術領域
本公開涉及制造有機發光顯示設備的方法,更具體地說,涉及制造具有密封特性的有機發光顯示設備的方法。
背景技術
有機發光顯示設備是一種自發光的顯示設備,并且可包括一個或更多個例如有機發光二極管的有機發光裝置,每個有機發光裝置包括空穴注入電極、電子注入電極以及設置在它們之間的有機發射層。當從空穴注入電極注入的空穴與從電子注入電極注入的電子在有機發射層中復合時產生激子。當激子從激發態落到基態時發射光。
由于有機發光顯示設備是一種自發光的顯示設備,所以對于有機發光顯示設備來說,可以不需要諸如用于液晶顯示裝置的背光單元的獨立光源。因此,有機發光顯示設備可以以更低的電壓驅動并且可被制造為重量輕且輪廓纖薄的裝置。另外,有機發光顯示設備具有諸如寬視角、高對比度和快速響應時間的高等級特性。因此,有機發光顯示設備一般被視為下一代顯示設備。
然而,由于有機發光裝置易受例如氧或水分的外部環境的影響,因此需要與外部環境分隔開密封有機發光裝置的密封結構。
由于有機發光裝置的易損性(vulnerability),因此對于有機發光裝置來說,有機發光裝置的生產率、耐久性和質量會依賴于密封結構的質量。
發明內容
本發明的示例性實施例提供了制造具有密封結構的有機發光顯示設備的方法。該有機發光顯示設備可具有密封結構,所述密封結構包括由用于迅速有效地形成層的例如低熔點玻璃的低熔點材料形成的包封層。根據示例性實施例,改進了制造密封結構的方法,以快速并且有效地形成具有優異密封性能的包封層。
額外的方面將被部分地闡述于后面的描述中,并將部分地從該描述變得顯然,或者可以通過本實施例的實踐而習得。
根據示例性實施例,一種制造有機發光顯示裝置的方法包括:設置低熔點玻璃(LMG)薄膜以覆蓋設置在基板上的顯示單元;以及將能束輻射到LMG薄膜上。
根據示例性實施例,一種使用低熔點材料制造密封結構的方法包括:設置低熔點材料以密封設置在基板上的密封對象;以及將能束輻射到低熔點材料上,以將低熔點材料的暴露的表面加熱到加熱溫度,所述加熱溫度等于或高于低熔點材料的轉變溫度。低熔點材料的轉變溫度低于二氧化硅(SiO2)
的轉變溫度。
根據示例性實施例,一種有機發光顯示設備包括:基板;有機發光裝置,設置在基板上;以及低熔點玻璃(LMG)薄膜,設置在有機發光裝置上以密封有機發光裝置。LMG薄膜包括與LMG薄膜的能束輻射部分對應的密封層。
將要理解的是,前面的一般描述和下面的詳細描述是示例性的和解釋性的,并且意圖提供如權利要求書要求的本發明的進一步解釋。
附圖說明
包括附圖以提供對本發明的進一步理解,附圖包括在本說明書中并構成本說明書的一部分,附圖示出了本發明的示例性實施例,并與描述一起用于說明本發明的原理。
圖1、圖2、圖3和圖4是示出根據本發明示例性實施例的制造有機發光顯示設備的方法的剖視圖。
圖5是示出根據本發明示例性實施例的圖4中的區域A的詳細結構的剖視圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410059747.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:有機發光顯示裝置及其制造方法
- 下一篇:固態成像裝置、其制造方法以及電子設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





