[發明專利]制造有機發光顯示設備的方法有效
| 申請號: | 201410059747.4 | 申請日: | 2014-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN104347665B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 崔宰赫;樸鎮宇;李雄洙;崔修赫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛義丹;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 有機 發光 顯示 設備 方法 | ||
1.一種制造有機發光顯示設備的方法,所述方法包括以下步驟:
設置低熔點玻璃薄膜以覆蓋設置在基板上的顯示單元,以及
將能束輻射到低熔點玻璃薄膜上,將低熔點玻璃薄膜的暴露的表面加熱到加熱溫度,所述加熱溫度為低熔點玻璃薄膜的玻璃化轉變溫度或為高于低熔點玻璃薄膜的玻璃化轉變溫度的溫度,
其中,在含氧的氣氛中執行能束的輻射。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,能束包括激光束、電子束、離子束、中子束、等離子體束和脈沖激光束中的任意一種。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,能束具有紅外波長和紫外波長中的任意一種波長。
4.根據權利要求1所述的方法,所述方法還包括在輻射能束的過程中對基板進行冷卻。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,低熔點玻璃薄膜包括錫氧化物,并且低熔點玻璃薄膜的玻璃化轉變溫度為250℃至400℃。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,低熔點玻璃薄膜還包括P2O5、鎢、硼、鈮、TiO2、ZnO、SiO2、BaO、Al2O3和B2O3中的至少一種。
7.根據權利要求5所述的方法,其中,錫氧化物包括SnO,通過輻射能束在低熔點玻璃薄膜的表面上SnO被氧化成SnO2。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,低熔點玻璃薄膜的玻璃化轉變溫度高于顯示單元的變形溫度。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,設置低熔點玻璃薄膜的步驟包括濺射、蒸鍍、化學氣相沉積、脈沖激光沉積和等離子體噴涂中的任意一種。
10.根據權利要求1所述的方法,其中,基板包括玻璃基板。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,基板包括柔性基板。
12.一種使用低熔點材料制造密封結構的方法,所述方法包括以下步驟:
設置低熔點材料以密封設置在基板上的密封對象,低熔點材料的玻璃化轉變溫度低于SiO2的轉變溫度,以及
將能束輻射到低熔點材料上,以將低熔點材料的暴露的表面加熱到加熱溫度,所述加熱溫度為低熔點材料的玻璃化轉變溫度或為高于低熔點材料的玻璃化轉變溫度的溫度,
其中,在含氧的氣氛中執行能束的輻射。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,輻射能束的步驟包括對所述加熱溫度和能束的輻射時間進行控制,從而使能束的輻射不會使密封對象劣化或損壞。
14.根據權利要求12所述的方法,其中,輻射能束的步驟包括基于密封對象的變形溫度對所述加熱溫度和能束的輻射時間進行控制。
15.根據權利要求12所述的方法,其中,密封對象包括有機發光顯示設備,低熔點材料包括低熔點玻璃薄膜。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,低熔點玻璃薄膜包括SnO,以及
其中,通過能束的輻射將低熔點玻璃薄膜的暴露的表面氧化成SnO2。
17.根據權利要求15所述的方法,其中,低熔點玻璃薄膜的玻璃化轉變溫度為250℃至400℃。
18.根據權利要求12所述的方法,所述方法還包括對基板進行冷卻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





