[發(fā)明專利]一種強光LED光源模塊及其生產工藝

有效

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• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN103872207A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 鄭香奕
• 申請（專利權）人: 東莞美盛電器制品有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56
• 代理公司: 東莞市中正知識產權事務所 44231
• 代理人: 劉林

技術領域：

本發(fā)明涉及LED技術領域，特指一種強光LED光源模塊的生產工藝及該強光LED光源模塊。

背景技術：

現有LED光源模塊普遍是在鋁基板或鋁支架上固定LED晶片，LED晶片通過金屬線與設置鋁基板或鋁支架上的銅電極連接，再用環(huán)氧樹脂等材料進行封裝制得。由于鋁基板、鋁支架都是無法透光的，因此，這些LED光源都只能從單面出光，無法實現全角度出光。另外，LED晶片本身出光面有限以及受全反射等因素影響，其發(fā)光也無法完全進入封裝材料，再者光線從封裝材料進入空氣界面時也會受到全反射等影響，因此整個LED光源的出光效率較低，光強度較弱。

發(fā)明內容：

本發(fā)明的目的在于克服現有產品的不足之處，提供一種強光LED光源模塊的生產工藝及該強光LED光源模塊。

本發(fā)明實現其目的采用的技術方案是：一種強光LED光源模塊的生產工藝，其包括以下步驟：

a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率薄膜；

b.將鍍好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片單體；

c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線連接LED晶片單體；

d.在LED晶片單體的剩余五個表面也鍍上一層高折射率薄膜；

e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。

上述工藝中，所述的高折射率薄膜的厚度為0.1μm-1.0μm。

所述的高折射率薄膜為TiO₂或熒光物質薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。

同時，本發(fā)明還提供一種強光LED光源模塊，包括基板、若干LED晶片單體、電極片、連接LED晶片單體和電極片的金屬線以及封裝料體，于所述LED晶片單體的六個表面均鍍有一層高折射率薄膜，所述金屬線穿過高折射率薄膜與LED晶片單體的電極連接。

上述光源模塊中，所述的高折射率薄膜的厚度為0.1μm-1.0μm。所述的高折射率薄膜為TiO₂或熒光物質薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。

所述基板由與封裝料體材質相同的透光材料成型，這樣能使整體LED光源全角度出光。

于所述LED光源模塊的封裝料體表面還成型有若干圓錐狀凸點。

本發(fā)明的有益效果主要體現在：其一，LED晶片單體發(fā)光進入封裝材料前，由于LED晶片單體周邊均鍍有高折射率薄膜，各面之間呈90°，增大了LED晶片單體的出光面，起到倍增出光面的效果，而且大大降低了全反射率，使LED晶片單體的發(fā)光均進入封裝料體中，從而起到增大出光效率、增強光線強度的效果；其二，在LED光源的封裝料體表面設置圓錐凸點，在光線從封裝料體進入空氣時能破壞全反射（即即便在一面被反射，也會從另一面射出），進一步提高出光率和出光強度；其三，直接以封裝用的透光材料來成型制作基板，因此，基板具有很好的透光性，當LED晶片固定并封裝后，可以實現全角度出光，產品的視覺效果極佳。

附圖說明：

圖1是本發(fā)明一種實施例強光LED光源模塊的剖面示意圖；

圖2是圖1中的局部放大圖。

具體實施方式：

下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明進一步說明。

本發(fā)明所述的一種強光LED光源模塊的生產工藝，其包括以下步驟：

a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率薄膜；

b.將鍍好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片單體；

c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線連接LED晶片單體；

d.在LED晶片單體的剩余五個表面也鍍上一層高折射率薄膜；

e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。

上述工藝中，所述的高折射率薄膜的厚度為0.1μm-1.0μm。所述的高折射率薄膜為TiO₂或熒光物質薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。高折射率薄膜可通過化學氣相沉積（MOCVD、CVD）、物理真空蒸鍍或者濺鍍以及溶劑成膜等各種鍍膜方式完成。