[發明專利]一種強光LED光源模塊及其生產工藝有效
| 申請號： | 201410059021.0 | 申請日： | 2014-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN103872207A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 鄭香奕 | 申請（專利權）人： | 東莞美盛電器制品有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56 |
| 代理公司： | 東莞市中正知識產權事務所 44231 | 代理人： | 劉林 |
| 地址： | 523000*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 強光 led 光源 模塊 及其 生產工藝 | ||
1.一種強光LED光源模塊的生產工藝，其特征在于：其包括以下步驟：
a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率薄膜；
b.將鍍好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片單體；
c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線連接LED晶片單體；
d.在LED晶片單體的剩余五個表面也鍍上一層高折射率薄膜；
e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。
2.根據權利要求1所述的強光LED光源模塊的生產工藝，其特征在于：所述的高折射率薄膜的厚度為0.1μm-1.0μm。
3.根據權利要求1或2所述的強光LED光源模塊的生產工藝，其特征在于：所述的高折射率薄膜為TiO2或熒光物質薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。
4.一種強光LED光源模塊，包括基板、若干LED晶片單體、電極片、連接LED晶片單體和電極片的金屬線以及封裝料體，其特征在于：于所述LED晶片單體的六個表面均鍍有一層高折射率薄膜，所述金屬線穿過高折射率薄膜與LED晶片單體的電極連接。
5.根據權利要求5所述的強光LED光源模塊，其特征在于：所述的高折射率薄膜的厚度為0.1μm-1.0μm。
6.根據權利要求5或6所述的強光LED光源模塊，其特征在于：所述的高折射率薄膜為TiO2或熒光物質薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。
7.根據權利要求5所述的強光LED光源模塊，其特征在于：所述基板由與封裝料體材質相同的透光材料成型。
8.根據權利要求5所述的強光LED光源模塊，其特征在于：于所述LED光源模塊的封裝料體表面還成型有若干圓錐狀凸點。
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