[發(fā)明專利]用于確定掩模圖案的方法及信息處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410058925.1 | 申請日: | 2014-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN104007608B | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 中山諒;行田裕一 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 確定 圖案 方法 記錄 介質 信息處理 裝置 | ||
一種用于確定掩模圖案的方法、記錄介質及信息處理裝置。通過使用信息處理裝置來確定多個掩模的圖案的方法,包括:獲取關于包含多個圖案元素的圖案的數據;將所獲取的多個圖案元素分配到掩模中,將所獲取的多個圖案元素分解為所述掩模的圖案,并且基于掩模的數量、每個掩模中的多個圖案元素之間的距離以及連接每個掩模中的多個圖案元素的線的角度來計算用于評價指數的評價值。在所述方法中,基于所計算出的評價值來確定每個掩模的圖案。
技術領域
本發(fā)明涉及一種用于確定掩模圖案的方法、一種記錄介質以及一種信息處理裝置。
背景技術
近年來,隨著半導體器件的小型化的進展,已經難以通過使用曝光裝置以高精度將所期望的圖案轉印到晶片上。這種情況的一個原因是減少的半間距,其為電路中所包括的圖案之間的最短距離的一半。
為了解決該問題,作為用于以高精度將例如22nm節(jié)點的微小圖案轉印到晶片上的技術,多次曝光構圖已經引起關注。該技術用于將具有比曝光裝置的分辨率極限的半間距更小的半間距的圖案劃分為多個掩模圖案并且對它們進行曝光,以使用比在如過去那樣曝光一次圖案的情況更高的精度轉印微小圖案。
多次曝光構圖可能需要確定多個光刻友好掩模圖案,據此可以改進例如聚焦深度的分辨性能并且可以改進良率。在美國專利申請公開 No.2007/31740的說明書以及美國專利申請公開No.2010/223590的說明書中公開了用于確定這樣的多個掩模圖案的方法。
美國專利申請公開No.2007/31740的說明書公開了一種基于迭代方法來將分解規(guī)則應用于圖案的方法。更具體地,所述方法包括:首先確定圖案分解規(guī)則,基于所述規(guī)則來確定目標圖案元素是屬于第一掩模還是第二掩模,并且對于每個圖案元素重復該操作。根據所述分解規(guī)則,圖案是基于各圖案之間的距離或圖案的線寬度根據其是否嚴格的確定結果而分解。
美國專利申請公開No.2010/223590的說明書公開了一種用于通過假設用于光強度分布(有效光源分布)的兩種類型的偶極子照明被形成在照射掩模的照射光學系統(tǒng)的光瞳平面上來確定用于執(zhí)行曝光兩次的多個掩模圖案的方法。更具體地,該方法包括:分析x方向和y 方向偶極子照明中的哪個照射適合于轉印待分解的圖案,并且確定兩種類型的掩模圖案。具有在y方向上延伸的縱向邊沿的圖案被確定為用于x方向偶極子照明的掩模圖案,而具有在x方向上延伸的縱向邊沿的圖案被確定為用于y方向偶極子照明的掩模圖案。在美國專利申請公開No.2007/31740的說明書中,考慮圖案的線寬度或各圖案之間的距離但不考慮多個圖案元素之間的角度來確定每個掩模圖案。這產生具有一個掩模中所包括的不同角度的多個圖案元素。當掩模受一個有效光源分布照射時,圖案元素的分辨容易性可能變化,可能在分辨一些圖案元素時有困難。
根據美國專利申請公開No.2010/223590的說明書,通過將圖案元素的邊沿的方向與偶極子照明的方向進行關聯來劃分掩模圖案。然而,多個圖案元素之間的相對位置關系(即多個圖案元素之間的距離或角度)并未納入考慮。這導致了在一個掩模中出現具有不同相對位置關系的多個圖案元素。當掩模受一個有效光源分布照射時,圖案元素的分辨容易性可能變化,可能在分辨一些圖案元素時有困難。
發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例確定在圖案被分解為多個掩模圖案時易于分辨的掩模圖案。
根據本發(fā)明的一方面,提供一種用于確定掩模圖案的方法,其通過使用信息處理裝置來確定用于多個掩模的圖案,所述方法包括:獲取關于包含多個圖案元素的圖案的數據;將所獲取的多個圖案元素分配到掩模中,將所獲取的多個圖案元素分解為所述掩模的圖案,并且基于掩模的數量、每個掩模中的多個圖案元素之間的距離以及連接每個掩模中的多個圖案元素的線的角度來計算用于評價指標的評價值,其中,基于所計算出的評價值來確定每個掩模的圖案。
根據參照附圖對示例性實施例的以下描述,本發(fā)明的其它特征將變得清楚。
附圖說明
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





