[發明專利]具有多通道區的半導體器件和包括其的半導體系統

有效

• 申請號: 201410058920.9
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN104464791B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 趙龍德
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

一種半導體器件包括：第一通道區，適用于包括第一焊盤區和第一核心區，以及通過第一電力線接收第一電力信號；第二通道區，適用于包括第二焊盤區和第二核心區，以及通過第二電力線接收第一電力信號；以及開關單元，適用于：如果執行第一通道區的預定操作，則將第二電力線與第一電力穩定單元電斷開，而如果執行第二通道區的預定操作，則將第一電力線與第一電力穩定單元電斷開。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年9月24日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0113307的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此，如同全文闡述。

技術領域

本公開的實施例涉及半導體器件和包括所述半導體器件的半導體系統，并且更具體地涉及具有多通道區的半導體器件和包括所述半導體器件的半導體系統。

背景技術

近來，已經提出多通道半導體器件以獲得高速度和高集成密度。這些多通道半導體器件可以提供至少兩個具有寬帶寬的通道區。多通道半導體器件中包括的每個通道區可以包括存儲器單元陣列、輸入/輸出（I/O）焊盤和控制電路，以執行獨立的操作。即，多通道半導體器件中包括的每個通道區可以作為單獨輸入或輸出地址信號、命令信號和數據的獨立的半導體器件來操作。

通常，半導體器件從外部設備接收電源電壓（VDD）信號和接地電壓（VSS）信號，以產生在構成每個半導體器件的內部電路的操作中所使用的內部電壓信號。用于操作半導體器件的內部電路的內部電壓信號可以包括供應至核心區（包括存儲器單元）的核心電壓（VCORE）信號、用于驅動或過驅動字線的升壓電壓（VPP）信號、以及施加至核心區中的NMOS晶體管的體區（或襯底）的反偏電壓（VBB）信號。諸如電源電壓（VDD）信號和接地電壓（VSS）信號的外部電壓信號以及諸如核心電壓（VCORE）信號、升壓電壓（VPP）信號和反偏電壓（VBB）信號的內部電壓信號可以通過設置在半導體器件中的電源線來傳送。

發明內容

根據一個實施例，一種半導體器件包括：第一通道區，適用于包括第一焊盤區和第一核心區，以及適用于通過第一電力線接收第一電力信號；第二通道區，適用于包括第二焊盤區和第二核心區，以及適用于通過第二電力線接收第一電力信號；以及開關單元，適用于如果執行第一通道區的預定操作，則將第二電力線與第一電力穩定單元電斷開，以及適用于如果執行第二通道區的預定操作，則將第一電力線與第一電力穩定單元電斷開。

根據一個實施例，一種半導體器件包括：第一電力線，適用于將電力信號供應至第一通道區；第二電力線，適用于將電力信號供應至第二通道區；第一開關元件，適用于如果執行第二通道區的預定操作，則將第一電力線與電力穩定單元電斷開；以及第二開關元件，適用于如果執行第一通道區的預定操作，則將第二電力線與電力穩定單元電斷開。

根據一個實施例，一種半導體系統包括控制器和半導體器件。控制器產生外部電力信號、第一命令信號、第二命令信號、第一地址信號和第二地址信號。半導體器件包括通過第一電力線接收外部電力信號的第一通道區、通過第二電力線接收外部電力信號的第二通道區、以及開關單元。如果執行第一通道區的預定操作，則開關單元將第二電力線與電力穩定單元電斷開。此外，如果執行第二通道區的預定操作，則開關單元將第一電力線與電力穩定單元電斷開。

附圖說明

結合附圖和所附具體描述，本發明的實施例將變得更加清楚，其中：

圖1是說明根據本發明的一個實施例的半導體器件的框圖；

圖2是說明圖1的半導體器件中包括的開關信號發生器的框圖；

圖3是說明圖1的半導體器件中包括的開關單元的電路圖；

圖4是說明圖1的半導體器件中包括的濾波器單元的電路圖；

圖5是說明根據本發明的一個實施例的半導體系統的框圖。