[發明專利]具有多通道區的半導體器件和包括其的半導體系統

有效

• 申請號: 201410058920.9
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN104464791B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 趙龍德
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種半導體器件，包括：

第一通道區，適用于包括第一焊盤區、第一核心區以及通過第一電力線接收第一電力信號；

第二通道區，適用于包括第二焊盤區、第二核心區以及通過第二電力線接收所述第一電力信號；以及

開關單元，適用于：如果執行所述第一通道區的預定操作，則將所述第二電力線與第一電力穩定單元電斷開，而如果執行所述第二通道區的預定操作，則將所述第一電力線與所述第一電力穩定單元電斷開，

其中，所述第一焊盤區包括施加有第一命令信號和第一地址信號的焊盤、以及輸入或輸出第一數據的焊盤，而所述第二焊盤區包括施加有第二命令信號和第二地址信號的焊盤、以及輸入或輸出第二數據的焊盤。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一核心區包括通過所述第一命令信號和所述第一地址信號來訪問以將所述第一數據儲存在其中的存儲器單元。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述第二核心區包括通過所述第二命令信號和所述第二地址信號來訪問以將所述第二數據儲存在其中的存儲器單元。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一電力信號是從外部設備供應的外部電力信號，或者是從所述外部電力信號產生的內部電力信號。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述預定操作是刷新操作。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述開關單元包括：

第一開關元件，適用于電耦接在所述第一電力線和所述第一電力穩定單元之間，以及響應于第一開關信號而被導通；以及

第二開關元件，適用于電耦接在所述第二電力線和所述第一電力穩定單元之間，以及響應于第二開關信號而被導通。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，如果執行所述第二通道區的所述預定操作，則所述第一開關信號將所述第一開關元件關斷。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，如果執行所述第一通道區的所述預定操作，則所述第二開關信號將所述第二開關元件關斷。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括開關信號發生器，所述開關信號發生器適用于：如果執行所述第一通道區的所述預定操作，則響應于第一內部命令信號而產生將所述第二電力線與所述第一電力穩定單元電斷開的第二開關信號，而如果執行所述第二通道區的所述預定操作，則響應于第二內部命令信號而產生將所述第一電力線與所述第一電力穩定單元電斷開的第一開關信號。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述開關信號發生器包括：

第一延遲單元，適用于延遲所述第一內部命令信號，以產生用于所述第一通道區中包括的第一單元陣列的刷新操作的第一單元陣列刷新信號；

第二延遲單元，適用于延遲所述第一單元陣列刷新信號，以產生用于所述第一通道區中包括的第二單元陣列的刷新操作的第二單元陣列刷新信號；

第三延遲單元，適用于延遲所述第二單元陣列刷新信號，以產生第一內部延遲命令信號；以及

第一信號合成器，適用于響應于所述第一單元陣列刷新信號和所述第二單元陣列刷新信號以及所述第一內部延遲命令信號而產生所述第二開關信號。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一通道區還包括傳送第二電力信號的第三電力線；以及

其中，所述第二通道區還包括傳送所述第二電力信號的第四電力線。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第二電力信號用在所述預定操作之外的操作中。