[發(fā)明專利]集成電路的方法和布局

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410058877.6
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN104715100B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳威宇;田麗鈞;莊惠中;江庭瑋;曾祥仁
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

一種集成電路布局包括第一金屬線、第二金屬線、至少一個第一導(dǎo)電通孔和第一導(dǎo)電部分。第一金屬線沿著第一方向形成。至少一個第一導(dǎo)電通孔設(shè)置在第一金屬線上方。第二金屬線設(shè)置在至少一個第一導(dǎo)電通孔上方且與第一金屬線平行。第一導(dǎo)電部分形成在第二金屬線的一端上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路，且更具體地，涉及集成電路的布局。

背景技術(shù)

超大規(guī)模集成（VLSI）技術(shù)的趨勢導(dǎo)致更窄的互連線和更小的接觸件。此外，集成電路設(shè)計(jì)正變得更加復(fù)雜和密集。將更多的器件壓縮到集成電路中以提高性能。

在集成電路的設(shè)計(jì)中，使用具有預(yù)定功能的標(biāo)準(zhǔn)單元。標(biāo)準(zhǔn)單元的布局存儲在單元庫中。當(dāng)設(shè)計(jì)集成電路時，從單元庫讀取標(biāo)準(zhǔn)單元的相應(yīng)布局并將其放置到集成電路布局中的一個或多個期望的位置。然后實(shí)施布線以使用互連跡線（interconnection tracks）將標(biāo)準(zhǔn)單元彼此連接。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種集成電路，包括：第一金屬線，沿著第一方向形成；至少一個第一導(dǎo)電通孔，設(shè)置在所述第一金屬線上方；第二金屬線，設(shè)置在所述至少一個第一導(dǎo)電通孔上方且與所述第一金屬線平行；以及第一導(dǎo)電部分，形成在所述第二金屬線的一端上。

在上述集成電路中，其中，所述第一導(dǎo)電部分的頂部邊界與所述第二金屬線的頂部邊界對齊。

在上述集成電路中，其中，所述第一導(dǎo)電部分的底部邊界與所述第二金屬線的底部邊界對齊。

在上述集成電路中，進(jìn)一步包括：第二導(dǎo)電部分，形成在所述第二金屬線的另一端上。

在上述集成電路中，進(jìn)一步包括：第二導(dǎo)電部分，形成在所述第二金屬線的另一端上，其中，所述第二金屬線的寬度等于或大于所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分的寬度的總和。

在上述集成電路中，進(jìn)一步包括：第二導(dǎo)電部分，形成在所述第二金屬線的另一端上，其中，所述第一導(dǎo)電部分的寬度等于或大于所述第二導(dǎo)電部分的寬度。

在上述集成電路中，進(jìn)一步包括：第二導(dǎo)電部分，形成在所述第二金屬線的另一端上，其中，所述第一導(dǎo)電部分的長度等于或大于所述第二導(dǎo)電部分的長度。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種集成電路，包括：第一金屬線，沿著第一方向形成在金屬層（N-1）中；第一導(dǎo)電通孔，位于通孔層（N-1）中，設(shè)置在所述第一金屬線上方；第二金屬線，形成在金屬層（N）中且與所述第一金屬線平行；以及第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分；其中：所述第二金屬線設(shè)置在所述第一導(dǎo)電通孔上方；以及所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分形成在金屬層（N）中的所述第二金屬線的分別的末端上。

在上述集成電路中，其中，所述第二金屬線與所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分的其中一個一起在金屬層（N）中形成類L形金屬線。

在上述集成電路中，其中，所述第二金屬線與所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分一起在金屬層（N）中形成類H形金屬線。

在上述集成電路中，其中，所述第二金屬線與所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分一起在金屬層（N）中形成類U形金屬線。

在上述集成電路中，其中，所述第二金屬線與所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分一起在金屬層（N）中形成類h形金屬線。

在上述集成電路中，進(jìn)一步包括位于金屬層（N）中的第三金屬線，沿著Y軸形成且插入在所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分之間；其中，所述第三金屬線與所述第二金屬線垂直。

在上述集成電路中，進(jìn)一步包括位于金屬層（N）中的第三金屬線，沿著Y軸形成且插入在所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分之間；其中，所述第三金屬線與所述第二金屬線垂直，其中，所述第三金屬線的長度等于或大于所述第一導(dǎo)電部分或所述第二導(dǎo)電部分的長度。