[發明專利]上電自復位的熔絲讀取電路

有效

• 申請號: 201410058763.1
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN103871475A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 徐鳴遠;李梁;陳光炳;付東兵;王育新;黃興發;沈曉峰;陳璽
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: G11C17/18
• 分類號: G11C17/18;G11C17/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種上電自復位的熔絲讀取電路，其特征在于包含：

PMOS（金屬氧化物半導體）管P₁、NMOS管N₁、反相器Q₁、與非門Q₂、反相器Q₃、反相器Q₄、反相器Q₅、NMOS管N₂、NMOS管N₃、NMOS管N₄、NMOS管N₅，其中，P₁的源極接輸入端口V_in，P₁的柵極接N₁的柵極，P₁的漏極接N₁的柵極，N₁的柵極接Q₁的輸出端，N₁的柵極接Q₅的輸入端，N₁的柵極接Q₂的一個輸入端，Q₅的輸出端接輸出端口V_out，Q₂的輸出端接Q₁的輸入端，Q₂的另一個輸入端接Q₃的輸出端，Q₄的輸出端接Q₃的輸入端，Q₄的輸入端接N₂的源極，Q₄的輸入端接N₃的柵極，N₂的漏極接電源電壓V_CC，N₂的柵極接N₄的源極，N₂的柵極接N₅的柵極，N₃的源極和漏極相接，并接地，N₅的源極和漏極相接，并接地，N₄的柵極和漏極相接，并接電源電壓V_CC，所述PMOS管P₁的襯底接輸入端V_in，所述NMOS管N₁、N₂、N₃、N₄、N₅的襯底均接地。

2.根據權利要求1所述的上電自復位的熔絲讀取電路的輸入端口V_in接熔絲單元的輸出端F_out。