[發明專利]用于處理晶片狀物件的表面的裝置

有效

• 申請號: 201410058520.8
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN104064492B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 安德烈亞斯·格雷森納
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

技術領域

本發明總體上涉及用于處理晶片狀物件（比如半導體晶片）的表面的裝置，其中一或多種處理流體可從封閉的處理室中回收。

背景技術

半導體晶片經受各種表面處理工藝，比如蝕刻、清潔、拋光和材料沉積。為了適應這樣的工藝，可相對于一或多個處理流體噴嘴通過與可旋轉載具相關聯的卡盤支撐單個晶片，如例如美國專利No.4,903,717和No.5,513,668中所記載的。

替代地，適用于支撐晶片的環形定子形式的卡盤可被設置在封閉的處理室內并在沒有物理接觸的情況下通過主動磁軸承驅動，如例如國際公開文本No.WO2007/101764和美國專利No.6,485,531中所記載的。因離心作用而從旋轉晶片邊緣向外驅動的處理流體被傳送給用于清理的公共排流管。

公布號為2013/0062839的共同擁有的共同待決美國申請中記載了改進的封閉式處理室。但本發明人已發現，用過的工藝液體并不總能從處理室完全回收，如該專利申請中所描述的。特別地，本發明人發現，由旋轉卡盤產生的氣流在工藝液體中產生湍流，其在周邊室的排水通道中聚集，導致工藝液體的飛濺和用過的工藝液體的液滴粘附到處理室的其它內表面。

發明內容

因此，在一方面，本發明涉及用于襯底的液體處理的裝置，其包括襯底架和圍繞所述襯底架的液體收集器。所述液體收集器包括用于收集處理襯底所使用的液體的槽。所述槽與排放管道流體連通，且所述液體收集器進一步包括自所述槽中的排放口延伸到設置得比所述槽低的所述排放管道的入口的凹面（recessed surface）。所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少兩倍一樣大的橫截面積。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述襯底架和所述液體收集器存在于能夠在襯底的液體處理期間被密封的處理室中。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述襯底架是用于保持和旋轉晶片狀物件的旋轉卡盤。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述襯底架是由軸旋轉驅動的卡盤，且所述卡盤包括排成圓形的一系列銷，該一系列銷被設置來接觸襯底的邊緣區域。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述襯底架是由圍繞的電磁定子旋轉驅動的磁轉子環，且所述磁轉子環包括排成圓形的一系列銷，所述銷自所述磁轉子環向下懸垂且被設置來接觸襯底的邊緣區域。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述凹面包括成對的細長凹部，所述成對的細長凹部沿著所述槽在所述排放管道的所述入口的相對側上延伸。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述排放管道的所述入口無遮蓋且在平面圖中被所述槽中的所述排放口圍繞。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少三倍一樣大的橫截面積。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少四倍一樣大的橫截面積。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述凹面在所述槽中的所述排放口處利用所述槽形成邊緣。

在根據本發明的裝置的優選實施方式中，所述凹面還包括成對的輔助凹部，所述成對的輔助凹部在所述排放管道的所述入口的相對側上且總體上沿著所述槽延伸。

在另一方面，本發明涉及用在用于襯底的液體處理的裝置中的液體收集器。所述液體收集器包括具有用于收集處理襯底所使用的液體的內部邊緣槽的殼體。所述槽與排放管道流體連通，且所述液體收集器進一步包括自所述槽中的排放口延伸到設置得比所述槽低的所述排放管道的入口的凹面。所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少兩倍一樣大的橫截面積。

在根據本發明的液體收集器的優選實施方式中，所述凹陷區域包括成對的細長凹部，所述成對的細長凹部沿著所述槽在所述排放管道的所述入口的相對側上延伸。

在根據本發明的液體收集器的優選實施方式中，所述排放管道的所述入口無遮蓋且在平面圖中被所述槽中的所述排放口圍繞。

在根據本發明的液體收集器的優選實施方式中，所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少三倍一樣大的橫截面積。

在根據本發明的液體收集器的優選實施方式中，所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少四倍一樣大的橫截面積。

在根據本發明的液體收集器的優選實施方式中，所述凹面還包括成對的輔助凹部，所述成對的輔助凹部在所述排放管道的所述入口的相對側上且總體上沿著所述槽延伸。