[發明專利]用于處理晶片狀物件的表面的裝置有效
| 申請號: | 201410058520.8 | 申請日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN104064492B | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發明(設計)人: | 安德烈亞斯·格雷森納 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 晶片 物件 表面 裝置 | ||
1.一種用于襯底的液體處理的裝置,其包括襯底架和圍繞所述襯底架的液體收集器,所述液體收集器包括用于收集處理襯底所使用的液體的槽,所述槽與排放管道流體連通,所述液體收集器進一步包括自所述槽中的排放口延伸到設置得比所述槽低的所述排放管道的入口的向內傾斜的內部凹面,其中所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少兩倍一樣大的橫截面積。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中所述襯底架和所述液體收集器存在于能夠在襯底的液體處理期間被密封的處理室中。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中所述襯底架是用于保持和旋轉晶片狀物件的旋轉卡盤。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中所述襯底架是由軸旋轉驅動的卡盤,且其中所述卡盤包括被設置來接觸襯底的邊緣區域的排成圓形的一系列銷。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中所述襯底架是由圍繞的電磁定子旋轉驅動的磁轉子環,其中所述磁轉子環包括排成圓形的一系列銷,所述銷自所述磁轉子環向下懸垂且被設置來接觸襯底的邊緣區域。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述凹面包括成對的細長凹部,所述成對的細長凹部沿著所述槽在所述排放管道的所述入口的相對側上延伸。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中所述排放管道的所述入口無遮蓋且在平面圖中被所述槽中的所述排放口圍繞。
8.根據權利要求1所述的裝置,其中所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少三倍一樣大的橫截面積。
9.根據權利要求1所述的裝置,其中所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少四倍一樣大的橫截面積。
10.根據權利要求1所述的裝置,其中所述凹面在所述槽中的所述排放口處利用所述槽形成邊緣。
11.根據權利要求1所述的裝置,其中所述凹面還包括成對的輔助凹部,所述成對的輔助凹部在所述排放管道的所述入口的相對側上且總體上沿著所述槽延伸。
12.一種用在用于襯底的液體處理的裝置中的液體收集器,所述液體收集器包括具有用于收集處理襯底所使用的液體的內部邊緣槽的殼體,所述槽與排放管道流體連通,所述液體收集器進一步包括自所述槽中的排放口延伸到設置得比所述槽低的所述排放管道的入口的向內傾斜的內部凹面,其中所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少兩倍一樣大的橫截面積。
13.根據權利要求12所述的液體收集器,其中所述內部凹面包括成對的細長凹部,所述成對的細長凹部沿著所述槽在所述排放管道的所述入口的相對側上延伸。
14.根據權利要求12所述的液體收集器,其中所述排放管道的所述入口無遮蓋且在平面圖中被所述槽中的所述排放口圍繞。
15.根據權利要求12所述的液體收集器,其中所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少三倍一樣大的橫截面積。
16.根據權利要求12所述的液體收集器,其中所述槽中的所述排放口具有與所述排放管道的入口的橫截面積的至少四倍一樣大的橫截面積。
17.根據權利要求12所述的液體收集器,其中所述凹面還包括成對的輔助凹部,所述成對的輔助凹部在所述排放管道的所述入口的相對側上且總體上沿著所述槽延伸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





