[發明專利]制作DMOS器件的方法

在審

• 申請號: 201410058122.6
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN104867830A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 姜春亮;何昌;蔡遠飛
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種制作DMOS器件的方法。?

背景技術

DMOS器件與互補金屬氧化物半導體（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor，CMOS）器件結構類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（vertical?double-diffused?MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET（lateral?double-dif?fused?MOSFET）。?

參照圖1，傳統的DMOS器件生產工藝中，通常需要采用六套光罩，分別是在制成保護環、有源區、多晶硅層、源極（SRC）、接觸孔和金屬層時使用，圖中，“Source”為DMOS器件的源端口，“Gate”為DMOS器件的柵端口，“Drain”為DMOS器件的漏端口。從技術的角度來看，制作SRC光罩是為了形成源極（N+區域）的形狀，最終的目的是使源極跟體區（P-Body）中的P阱區（P+區域）接觸上形成短路結構，以提高器件的抗雪崩擊穿能力，但由于光罩的成本非常高，而傳統的DMOS器件生產工藝中，每套光罩均不可或缺，導致DMOS器件的生產成本非常高。?

發明內容

（一）要解決的技術問題?

本發明要解決的技術問題是：如何減少DMOS器件生產工藝中的光罩套數，以降低DMOS器件的生產成本。?

（二）技術方案?

為解決上述技術問題，本發明提供了一種制作DMOS器件的方法，所述方法包括以下步驟：?

S1：在外延層的上表面從下到上依次生長柵氧化層和多晶硅層；?

S2：對所述多晶硅層進行摻雜，并對摻雜后的多晶硅層進行刻蝕，以形成柵極多晶硅；?

S3：對所述外延層進行注入，以形成體區；?

S4：在上一步的基礎上，進行上表面的全面注入，以使得所述體區內形成N阱區；?

S5：在上一步的基礎上，進行上表面的介質層淀積；?

S6：在所述體區上方開設接觸孔，并通過所述接觸孔采用挖硅腐蝕工藝將所述體區內的N阱區沿預設方向挖斷，所述預設方向為垂直于所述體區上表面的方向；?

S7：從所述接觸孔進行注入，以形成P阱區，從而實現N阱區和P阱區之間的接觸。?

其中，步驟S1之前還包括：?

S0：在襯底的上表面生長外延層。?

其中，步驟S0和S1之間還包括：?

S001：在所述外延層上表面生長初始氧化層；?

S002：剝除所述初始氧化層，以打開有源區。?

其中，步驟S1中，所述柵氧化層和多晶硅層生長于所述有源區內。?

其中，步驟S3中，對所述外延層進行注入后，還包括：對所述外延層進行退火處理。?

其中，步驟S5中，進行上表面的介質層淀積后，還進行回流處理。?

其中，步驟S7之后，還包括：?

S801：在上一步的基礎上，進行上表面的金屬淀積。?

其中，步驟S801中，進行金屬淀積之后，還進行金屬回刻。?

其中，步驟S7之后，還包括：?

S802：在所述襯底的下表面進行金屬淀積。?

其中，步驟S802之前還包括：對所述襯底的下表面進行減薄處理。?

（三）有益效果?

本發明通過步驟的調整，無需使用SRC光罩，減少了DMOS器件生產工藝中的光罩套數，降低了DMOS器件的生產成本。?

附圖說明

圖1是現有技術中的DMOS器件的結構示意圖；?

圖2是本發明一種實施方式的制作DMOS器件的方法的流程圖；?

圖3是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第1步的示意圖；?

圖4是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第2步的示意圖；?

圖5是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第3步的示意圖；?

圖6是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第4步的示意圖；?

圖7是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第5步的示意圖；?

圖8是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第6步的示意圖；?

圖9是本發明一種實施例的制作DMOS器件的方法中第7步的示意圖；?

圖10是本發明一種實施例制作DMOS器件的方法中第8步的示意圖；?