[發(fā)明專利]制作DMOS器件的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410058122.6
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN104867830A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設計）人: 姜春亮;何昌;蔡遠飛
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種制作DMOS器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1：在外延層的上表面從下到上依次生長柵氧化層和多晶硅層；

S2：對所述多晶硅層進行摻雜，并對摻雜后的多晶硅層進行刻蝕，以形成柵極多晶硅；

S3：對所述外延層進行注入，以形成體區(qū)；

S4：在上一步的基礎上，進行上表面的全面注入，以使得所述體區(qū)內形成N阱區(qū)；

S5：在上一步的基礎上，進行上表面的介質層淀積；

S6：在所述體區(qū)上方開設接觸孔，并通過所述接觸孔采用挖硅腐蝕工藝將所述體區(qū)內的N阱區(qū)沿預設方向挖斷，所述預設方向為垂直于所述體區(qū)上表面的方向；

S7：從所述接觸孔進行注入，以形成P阱區(qū)，從而實現(xiàn)N阱區(qū)和P阱區(qū)之間的接觸。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S1之前還包括：

S0：在襯底的上表面生長外延層。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟S0和S1之間還包括：

S001：在所述外延層上表面生長初始氧化層；

S002：剝除所述初始氧化層，以打開有源區(qū)。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟S1中，所述柵氧化層和多晶硅層生長于所述有源區(qū)內。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3中，對所述外延層進行注入后，還包括：對所述外延層進行退火處理。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S5中，進行上表面的介質層淀積后，還進行回流處理。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S7之后，還包括：

S801：在上一步的基礎上，進行上表面的金屬淀積。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，步驟S801中，進行金屬淀積之后，還進行金屬回刻。

9.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟S7之后，還包括：

S802：在所述襯底的下表面進行金屬淀積。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，步驟S802之前還包括：對所述襯底的下表面進行減薄處理。