[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201410057956.5 | 申請日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN103901687A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 張鋒;曹占鋒;姚琪;徐傳祥 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
隨著薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD?Display)技術的發展和進步,液晶顯示器裝置已經取代了陰極射線管顯示裝置成為了日常顯示領域的主流顯示裝置。
目前,為了不斷提高液晶顯示裝置顯示圖像的質量,其分辨率在不斷地提高,力求為消費者提供更為清晰逼真的顯示畫面。分辨率定義為液晶顯示裝置中每英寸面積內的像素的數量,這樣以來,分辨率越高則液晶顯示裝置中像素單元的尺寸就越小,相應地,如圖1所示,相鄰的兩個像素單元中的像素電極50之間的間距d也越來越小,當給像素電極50通入一定的工作電壓時,將導致相鄰的兩個像素電極50之間的電場發生干擾(如圖中箭頭所示),從而影響顯示畫面的質量。
例如,如圖2所示,當僅要求某一像素單元(標記為a)對應的液晶分子90偏轉而與該像素單元相鄰的另一個像素單元(標記為b)對應液晶分子90不發生偏轉時,由于像素單元a與像素單元b之間的間隔很小,使得相鄰的兩個像素電極50之間的電場發生干擾,導致相鄰的像素單元a與像素單元b之間的液晶分子90,以及像素單元b靠近像素單元a的邊緣處對應的液晶分子發生偏轉,從而使液晶顯示裝置中相鄰的像素單元產生混色、漏光等現象,影響了液晶顯示裝置的顯示的效果。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,當該陣列基板應用于顯示裝置時,可減少相鄰的兩個像素電極之間電場的干擾,降低相鄰的兩個像素單元之間的混色、漏光現象,提高顯示裝置的顯示效果。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,本發明實施例提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括襯底基板,設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、數據線、柵線以及像素電極;所述陣列基板還包括位于所述像素電極下方的包括凸起的層間絕緣層;所述凸起包括多個第一凸起,所述第一凸起至少設置在沿第一方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區域內;其中,所述第一凸起與靠近所述第一凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素電極的高度。
可選的,沿所述第一方向,所述第一凸起的寬度大于等于所述數據線的寬度。
可選的,所述凸起還包括多個第二凸起;所述第二凸起至少設置在沿與所述第一方向垂直的第二方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區域內;其中,所述第二凸起與靠近所述第二凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述第二凸起的高度大于所述像素電極的高度。
優選的,沿所述第二方向,所述第二凸起的寬度大于等于所述柵線的寬度。
可選的,所述相鄰的兩個像素電極相對于對應的一個所述凸起的中線對稱。
優選的,所述陣列基板還包括公共電極;所述層間絕緣層位于包括所述薄膜晶體管、所述數據線、以及所述柵線的圖案層與包括所述公共電極的圖案層之間。
優選的,所述層間絕緣層包括依次設置在包括所述薄膜晶體管、所述數據線、以及所述柵線的圖案層上方的無機材料的第一絕緣層和有機樹脂材料的第二絕緣層,且所述凸起設置在所述第二絕緣層上。
進一步優選的,所述有機樹脂材料為正性光刻膠材料或負性光刻膠材料。
一方面,本發明實施例還提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的所述的陣列基板。
另一方面,本發明實施例又提供了一種陣列基板的制備方法,所述制備方法包括:
在襯底基板上形成薄膜晶體管、數據線、以及柵線的步驟;在形成有包括所述薄膜晶體管、所述數據線、以及所述柵線的基板上形成包括凸起的層間絕緣層的步驟;在形成有包括凸起的層間絕緣層的基板上形成像素電極的步驟;其中,所述凸起包括多個第一凸起;所述第一凸起至少設置在沿第一方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區域內;且所述第一凸起與靠近所述第一凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素電極的高度。
可選的,所述凸起還包括多個第二凸起;在形成所述第一凸起的同時,在沿與所述第一方向垂直的第二方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區域內形成所述第二凸起;且所述第二凸起與靠近所述第二凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述第二凸起的高度大于所述像素電極的高度。
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