[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410057956.5 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN103901687A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張鋒;曹占鋒;姚琪;徐傳祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、柵線以及像素電極；其特征在于，還包括位于所述像素電極下方的包括凸起的層間絕緣層；
所述凸起包括多個第一凸起，所述第一凸起至少設(shè)置在沿第一方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區(qū)域內(nèi)；
其中，所述第一凸起與靠近所述第一凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述第一凸起的高度大于所述像素電極的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一凸起的寬度大于等于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凸起還包括多個第二凸起；
所述第二凸起至少設(shè)置在沿與所述第一方向垂直的第二方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區(qū)域內(nèi)；
其中，所述第二凸起與靠近所述第二凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述第二凸起的高度大于所述像素電極的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，沿所述第二方向，所述第二凸起的寬度大于等于所述柵線的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰的兩個像素電極相對于對應(yīng)的一個所述凸起的中線對稱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極；
所述層間絕緣層位于包括所述薄膜晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及所述柵線的圖案層與包括所述公共電極的圖案層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述層間絕緣層包括依次設(shè)置在包括所述薄膜晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及所述柵線的圖案層上方的無機材料的第一絕緣層和有機樹脂材料的第二絕緣層，且所述凸起設(shè)置在所述第二絕緣層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述有機樹脂材料為正性光刻膠材料或負(fù)性光刻膠材料。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至8任一項所述的陣列基板。
10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底基板上形成薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、以及柵線的步驟；
在形成有包括所述薄膜晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及所述柵線的基板上形成包括凸起的層間絕緣層的步驟；
在形成有包括凸起的層間絕緣層的基板上形成像素電極的步驟；
其中，所述凸起包括多個第一凸起；所述第一凸起至少設(shè)置在沿第一方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區(qū)域內(nèi)；且所述第一凸起與靠近所述第一凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述第一凸起的高度大于所述像素電極的高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述凸起包括還多個第二凸起；
在形成所述第一凸起的同時，在沿與所述第一方向垂直的第二方向的相鄰的兩個像素電極相互靠近的區(qū)域內(nèi)形成所述第二凸起；且所述第二凸起與靠近所述第二凸起的所述相鄰的兩個像素電極均無重疊，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述第二凸起的高度大于所述像素電極的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制備方法，其特征在于，在形成有包括所述薄膜晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及所述柵線的基板上形成包括凸起的層間絕緣層的步驟具體包括，
在形成有包括所述薄膜晶體管、所述數(shù)據(jù)線、以及所述柵線的圖案層的基板上形成絕緣材料層；
在形成有所述絕緣材料層的基板上涂覆光刻膠；
采用半色調(diào)模板或灰色調(diào)掩模板，對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分、以及光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)所述凸起的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)所述薄膜晶體管的漏極的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)其他區(qū)域；
對所述光刻膠完全去除部分、所述光刻膠半保留部分、以及所述光刻膠完全保留部分進(jìn)行刻蝕，形成包括凸起的層間絕緣層。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
